Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Способ получения топографических дифракционных решеток на светочувствительных системах As2Se3-As2S3-Ag включающий экспонирование указанной среды интерференционной картиной, образованной когерентными пучками излучения аргонового лазера, селективное травление в течение времени

t=toexp(kn),

где to ~ время полного стравливания слоя As2Se3, в растворе травителя,

n - отношение содержания компонент раствора растворителя к травителю,

k - коэффициент пропорциональности, и нанесение отражающего покрытия, отличающийся тем, что толщину слоя As2Se3 выбирают из условия обеспечения глубины модуляции дифракционной решетки h/d -0,3-0,4, где h - высота штриха, d - постоянная решетка, экспонируют светочувствительную систему при экспозиции 0,6 дж/см2, травление производят в растворе 30% водного раствора метиламина и этилового спирта, при соотношении ингредиентов (маc. %):

Текст

Изобретение относится к способам получения рельефных изделий с помощью чувстви тельных к электромагнитному излучению систем полупроводник-металл и может быть использовано в оптическом приборостроении, оптоэлектронике. Известный способ получения голографических дифракционных решеток (1), основанный на эффекте фотостимулированной диффузии металла в полупроводник, включает нанесение на подложку адгезионного слоя, слоя серебра, слоя трехсернистого мышьяка, слоя трехселенистого мышьяка, проектирование интерференционной картины, образованной когерентными пучками лазерного излучения, экспонирование, селективное травление в водном растворе гидроокиси калия (КОН), нанесение отражающего покрытия. Этот способ обеспечивает получение решеток с высокой эффективностью, высокой плотностью штрихов (до 6000 штрихов (мм) и большими геометрическими размерами. Его недостатками являются: невысокое качество получаемых решеток, что связано с использованием раствора гидроокиси калия при селективном травлении системы после записи на ней решетки, .а это приводит к высокому уровню рассеянного света, низкому выходу го товых изделий. В качестве прототипа выбран способ получения голографических дифракционных решеток (2), основанный на использовании чувствительных к электромагнитному излучению систем полупроводник-металл, включает: нанесение на подложку адгезионного слоя, слоя серебра, слоя трехсернистого мышьяка, слоя трехселенистого мышьяка, проектирование интерференционной картины, образованной когерентными пучками лазерного излучения, экспонирование, селективное травление в растворе, содержащем этилендиамин (CH2)2 (NH2)2 и этиловый спирт (С2Н5OН) при следующем соотношении ингредиентов (мас. %): в течение времени травления, определенном из условия t=t oexp (kn), где to - время полного стравливания слоя трехселенистого мышьяка в этилендиамине, k = 0,84, n - отношение содержания компонент этилового спирта к этилендиамину. Этот способ обеспечивает получение решеток с эффективностью 60-70%, с высокой плотностью штрихов (до 6000 штрихов (мм), с большими геометрическими размерами (200х200 мм 2 и более). К недостаткам этого способа можно отнести: невысокое качество получаемых решеток, связанное с тем. что после селективного травления на поверхности решеток остаются дефекты в виде "островков", "комет", ряби и др., что приводит к увеличению уровня рассеянного света и невысокому выходу годных изделий. Таким образом, известные способы не обеспечивают высокое качество решеток и высокий выход готовых изделий. Задача изобретения состоит в разработке способа получения голографических дифракционных решеток, предотвращающего стравливание слоя, образованного продуктами фотоиндуцированных изменений, обусловливающего этим повышение качества решеток и увеличение выхода годных изделий. Задача решается тем, что в способе получения голографических дифракционных решеток на светочувствительных системах As 2Se3-As 2S3-Ag, включающий экспонирование указанной среды интерференционной картиной, образованной когерентными пучками излучения аргонового лазера, селективное травление в течение времени t ° toexp (kn). где to - время полного стравливания слоя As 2Se3, в растворе травителя, n - отношение содержания компонент раствора растворителя к травителю, k - коэффициент пропорциональности, и нанесение отражающего покрытия, согласно изобретению толщину слоя As 2Se3 выбирают из условия обеспечения глубины модуляции дифракционной решетки h/d 0,3-0,4, где h - высота штри ха, d - постоянная решетки, экспонируют светочувстви тельную систему при экспозиции 0,6 дж/мс2, травление производят в растворе 30% водного раствора метиламина и этилового спирта, при соотношении ингредиентов (мае. %): Способ осуществляют следующим образом. На очищенную поверхность подложки (из стекла, кварца, металла или органический пленки) наносят в вакууме 2.5 10-3-10-4 Па (или другим способом) адгези-онный слой (из хрома, марганца и др.), слой серебра, слой трехсернистого мышьяка, слой трехселенистого мышьяка. Толщину адгезионного слоя и слоя серебра выбирают в интервале 5-100 нм, толщину слоя трех-сернистогр мышьяка 3-30 нм. Тонкий слой трехсернистого мышьяка служит в качестве барьера, препятствующего протеканию тем-новых реакций взаимодействия между слоем Ag и слоем As 2Se3. Толщину слоя трехселенистого мышьяка выбирают из условия обеспечения необходимой глубины модуляции решетки h/d = 0,3-0,4, где h высота штриха, d - постоянная решетки. Исходя из этого толщину слоя трехселенистого мышьяка выбирают равной или несколько большей h. Подложку со слоями закрепляют в держателе голографической установки и проектируют интерференционную картину с пространственной частотой, выбранной в интервале 600-6000 мм -1, образованную когерентными пучками лазерного излучения и проводят экспонирование. В качестве источника лазерного излучения используют аргоновые, гелий-кадмиевые, гелий-неоновые и другие лазеры. В процессе экспонирования в местах облучения происходит фотостимулированная диффузия частиц серебра в слой полупроводника (As 2Se33+As 2S3) с образованием продуктов взаимодействия, приводящая к тому, что скорость травления облученных и необлученных участков становится различной (продукты взаимодействия обычно травятся медленней), а это позволяет в дальнейшем вытравливать рельефные изображения. После экспонирования подложку со слоями погружают в раствор, содержащий метиламин (30% водный раствор (ТУ-609-2088-94) и этиловый спирт (ГОСТ-18300-72) при следующем соотношении ингредиентов (мас.%): селективное травление проводят в течении времени t=toexp(kn), где в математическом выражении использованы обозначения: to -время полного стравливания слоя трехселенистого мышьяка в метиламине (30% водном растворе), k=0,61, a n - соотношение компонент этилового спирта к метиламину (30% водному раствору). Время травления выбирают от нескольких десятков секунд до нескольких десятков минут в зависимости от соотношения компонент раствора и толщины слоя трехселенистого мышьяка. С увеличением содержания в растворе метиламина скорость селективного травления возрастает. После промывки и сушки на решетку наносят отражающее покрытие (AI или Au, MgF2 и др.). Решетки с высоким качеством получаются тогда, когда для селективного травления берут раствор, содержащий метиламин и этиловый спирт при соотношении ингредиентов, указанном в заявляемом техническом решении. В основу способа положен тот факт, что при записи топографических дифракционных решеток на светочувствительной системе As 2Se3-As 2S3-Ag излучением аргонового лазера (488 нм или 514 нм) было обнаружено, что под действием излучения наряду с фотостимулированной диффузией Ag в слой As 2Se3 происходят фотоиндуцированные изменения и в слое As 2Se3 (без введенного фотодиффузией серебра) с экспозициями соизмеримыми с необходимыми для записи решеток. Образуются как бы две дифракционные решетки с одинаковой пространственной частотой, наложенные друг на друга. Одна образована продуктами фотостимулированной диффузии серебра в слой трехселенистого мышьяка (эффект фотолегирования), а другая - продуктами фотоиндуцированных изменений в слое As 2Se3 (эффект фотостр уктурных превращений). Вклад обоих эффектов в процесс записи голографических решеток а значительной мере зависит от толщины слоя полупроводника (As 2Se3), длины волны записывающего излучения и др. После селективного травления в растворе используемом в способе прототипа, из-за селективности данного раствора по отношению к эффекту фотостр уктурных превращений на поверхности решеток часто присутствуют дефекты "островков", "комет", "ряби", которые ухудшают качество решеток и снижают выход годных изделий. При использовании травителя, предлагаемого в заявляемом способе, остается решетка образованная только продуктами фотоиндуцированного взаимодействия серебра со слоем As 2Se3, при этом получаются решетки высокого качества благодаря тому, что данный травитель практически неселективен по отношению к эффекту фотостр уктурных превращений, с сохранением положительных свойств травителя способа прототипа. Кроме того, на поверхности решеток отсутствуют де фекты. Травление обеспечивает высокое качество решеток высокую дифракционную эффективность после покрытия решеток AI, h ³ 50 - 70% , отсутствие на поверхности решеток дефектов в виде "островков", "комет", "ряби", более низкий по сравнению со способом-прототипом уровень рассеянного света, Это обусловлено низкой селективностью травителя на основе метиламина (30% водного раствора) и этилового спирта по отношению к продуктам эффекта фотостр уктурных превращений в слое As 2Se3 (без введенного фотодиффузией серебра) и высокой селективностью по отношению к продуктам фотостимулированного взаимодействия Ag с As 2Se3. А это в свою очередь приводит к повышению качества решеток и увеличению выхода годных изделий в 1,5-2 раза, к экономии энергетических затрат. Пример. На стеклянные полированные подложки размером 70х70х2 мм 3 в вакууме 2,5·10-3 Па последовательно наносился слой хрома толщиной 50 нм, слой серебра. толщиной 30 нм, слой трехсернистого мышьяка (As 2S3) толщиной 4 нм и слой трехселенистого мышьяка (As 2Se3) толщиной 200 нм. Затем на систему проектировали интерференционную картину, образованную двумя когерентными пучками излучения от аргонового лазера (488 нм) с пространственной частотой 1350 мм. При энергетической освещенности равной 1,2·10-3 Вт/см 2, экспозиция составляла 0,6 Дж/см 2. После экспонирования проводилось селективное травление в растворе содержащем метиламин CH5N (30% водный раствор) и этиловый спирт C2H5OH со следующими соотношениями компонент (мас.%): Время травления составляло 105 с. После селективного травления поверхность решеток была однородной и качественной. Решетки затем покрывались слоем AI, толщиной 110 нм. Дифракционные эффективности этих решеток, измеренные по схеме близкой к Литтрова на длине волны, равной 680 нм и S-поляризации в первом порядке дифракции составляли 75-76%.

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Holographic diffration lattice method

Автори англійською

Indutnyi Ivan Zakharovych, Romanenko Petro Fedorovych, Stronskyi Oleksandr Volodymyrovych, Robur Ihor Yosypovych

Назва патенту російською

Способ получения голографических дифракционных решеток

Автори російською

Индутный Иван Захарович, Романенко Петр Федорович, Стронский Александр Владимирович, Робур Игор Иосифович

МПК / Мітки

МПК: G03H 1/18, G02B 5/18

Мітки: одержання, решіток, голографічних, дифракційних, спосіб

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-4737-sposib-oderzhannya-golografichnikh-difrakcijjnikh-reshitok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб одержання голографічних дифракційних решіток</a>

Подібні патенти