Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Способ изготовления кремниевых пластин, включающий резку, двустороннюю шлифовку, травление, предварительную полировку и химико-механическую полировку рабочей стороны пластин, отличающийся тем, что с целью повы­шения качества пластин за счет уменьшения плот­ности точечных дефектов и площади с линиями скольжения на рабочей поверхности пластин, а также повышения воспроизводимости глубины травления, травление пластин производят в се­лективном кислотном травителе до полной его вы­работки на глубину 0,4...0,8 диаметра абразивного зерна, применяемого при двусторонней шлифовке.

Текст

для СЛУЖЬБНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ экз СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (19) Л

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Manufacturing method for silicon wafers

Автори англійською

Kutovoi Ihor Vasyliovych, Fedoriv Vadym Mykhailovych, Shurduk Borys Kostiantynovych

Назва патенту російською

Способ изготовления кремниевих пластин

Автори російською

Кутовой Игорь Васильевич, Федорив Вадим Михайлович, Шурдук Борис Константинович

МПК / Мітки

МПК: H01L 21/306

Мітки: кремнійових, виготовлення, спосіб, пластин

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-2218-sposib-vigotovlennya-kremnijjovikh-plastin.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення кремнійових пластин</a>

Подібні патенти