Спосіб одержання провідних наноструктур

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений; після виникнення контакту його механічно переривають, область контакту заповнюють електролітом, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, і реєструють опір, який відрізняється тим, що різке падіння опору відбувається після витримки системи в електроліті впродовж 5-100 с. (19) (21) u201000034 (22) 11.01.2010 (24) 10.08.2010 (46) 10.08.2010, Бюл.№ 15, 2010 р. (72) ПИЛИПЕНКО ОЛЕКСІЙ ІВАНОВИЧ, ПОСПЄЛОВ ОЛЕКСАНДР ПЕТРОВИЧ, ФІСУН ВАСИЛЬ ВАСИЛЬОВИЧ, АЛЕКСАНДРОВ ЮРІЙ ЛЕОНІДОВИЧ, КАМАРЧУК ГЕННАДІЙ ВАСИЛЬОВИЧ (73) НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ХАРКІВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ" 3 51900 ди, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту. Після появи контакту його механічно переривають, в область контакту вносять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені струмопідводи, підключають отриману систему до схеми живлення і вимірювання та реєструють опір системи. В момент різкого падіння опору системи, який вказує на те, що в системі утворився точковий контакт, струм відключають. Основними недоліком цього способу є необхідність відключення системи від джерела живлення після отримання точкового контакту. Це викликає появу в системі електричних імпульсів значної амплітуди і може привести до зміни властивостей отриманого точкового контакту або його повного руйнування. До іншого недоліку згаданого способу відноситься те, що отримання точкових контактів відбувається в гальваностатичному режимі (при постійній величині струму), що обумовлює примусову швидкість росту структур і збільшує вірогідність виникнення небажаних структурних дефектів, що погіршує властивості точкового контакту. В основу корисної моделі поставлено задачу розробки способу отримання точкових контактів, який забезпечує високий вихід цільової структури з підвищеною якістю. Поставлена задача досягається за рахунок використання способу одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення струмопідводів, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені струмопідводи. Після цього отриману систему підключають до схеми вимірювання. Процес утворення точкового контакту в системі відбувається за рахунок різниці потенціалів, існуючої між електродами внаслідок структурних відмінностей та наявності чужорідних вклю Комп’ютерна верстка І.Скворцова 4 чень. Наявність цієї різниці робить зайвим зовнішнє джерело живлення. Виключення джерела живлення зі схеми мінімізує можливість виникнення в ній різких електричних імпульсів, які можуть викликати зміну властивостей точкового контакту або його руйнування. Крім того, формування точкового контакту відбувається з поступовим гальмуванням швидкості процесу внаслідок плавного зниження різниці потенціалів між електродами. Це обумовлює отримання точкових контактів з підвищеною якістю структури і водночас максимально зменшує можливість впливу на них зовнішніх електричних імпульсів, як це має місце в способі отримання провідних наноструктур, обраному за прототип. Для реалізації способу струмопідводи, один з яких загострений у вигляді голки, переміщують назустріч один одному до виникнення між ними електричного контакту. Після появи контакту його механічно переривають, в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені струмопідводи. Отриману систему підключають до схеми вимірювання і реєструють опір системи. Після витримки системи в електроліті впродовж 5-100 с відбувається різке падіння опору системи, що свідчить про утворення точкового контакту. Все це забезпечує максимально досяжну при кімнатній температурі довжину вільного пробігу носіїв заряду в отриманих точкових контактах і їх підвищену стабільність, що суттєво розширює функціональні можливості сенсорних пристроїв на базі цих структур. Джерела інформації: 1. Yu.G. Naidyuk and I.K. Yanson. Point-Contact Spectroscopy. Springer Verlag, New York, 2004. 2. Поспелов О.П., Камарчук Г.В., Фісун В.В., Александров Ю.Л., Пилипенко 0.1. Спосіб одержання провідних наноструктур. Патент на корисну модель №32638, МПК В82В 3/00. Опубл. 26.05.2008. Бюл. № 10. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601