Спосіб виготовлення композитної кераміки для емітера термофотовольтаїчної системи

Спосіб виготовлення композитної кераміки для емітера термофотовольтаїчної системи, що включає приготування суміші порошку матричного 3 57108 Запропонований спосіб виготовлення передбачає додавання в процесі приготування суміші порошку оксиду бору в кількості 10-15 мас. %. Механічне легування вихідних компонентів проводять у кульових шнеко-змішувальних установках протягом 1-1,5 години. У процесі механічного легування відбувається впровадження керамічних частинок в металеві, їх перемішування, агломерація і деагломерація. Зникає нерівномірний характер структури, відбувається утворення щільних, добре сформованих часток композиційного матеріалу. Здійснюється вібропресування при кімнатній температурі і атмосферному тиску. Потім проводять спрямовану кристалізацію шляхом створення градієнта температур. Дегазацію отриманих гранул проводять у вакуумі при температурі 400-450°С протягом 2-2,5 годин. Щоб видалити водень не тільки з поверхні гранул, але і з внутрішнього об'єму, кожній гранулі дають можливість пройти розплавлений стан. Додавання оксиду бору в зазначеній кількості дозволяє зменшити температуру формування заготовок і час дегазації у вакуумі за рахунок хорошого змочування зерна розплавленим оксидом бору і витіснення адсорбованих газів вже при формуванні суміші. Це дозволяє значно знизити енерговитрати при виробництві еммітерів. Підвищення концентрації оксиду бору вище 15 мас. % недоцільно, оскільки призводить до зменшення температури плавлення готової структури. Дегазація при тем Комп’ютерна верстка В. Мацело 4 пературі, вище 450°С та протягом більш ніж 2,5 години не дозволяє покращити вихідні характеристики отриманого емітера, а лише призводять до підвищення енерговитрат та втрати концентрації оскиду бору шляхом витікання та випаровування під час процесу. Зменшення ж концентрації до рівня 10 мас. % призводить до погіршення змочування зерна, що призводить до коливання властивостей емітера в межах об’єму. Але і зменшення температури менше 400°С може призвести до погіршення змочування зерна кристалічної решітки. Також спостерігається зменшення кількості газових порожнин в готовому виробі, що утворюються при високотемпературній обробці. Це дозволяє підвищити однорідність властивостей матеріалу, що призводить до збільшення міцності і пластичності готового виробу. Технічним результатом є підвищення механічної міцності структури, стійкість до високих градієнтів температур, однорідність спектру випромінювання, обумовлена рівномірністю розподілу компонентів і розмірів часток, що забезпечує найбільш ефективну роботу термофотовольтаїчної системи. Таким чином, пропонований спосіб в порівнянні з відомими технічними рішеннями є більш ефективним за рахунок більшої технологічності і низької енергоємності, що обумовлює його широке промислове застосування. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601