Спосіб отримання кристалічного pbte n- і p-типу

1 Спосіб отримання кристалічного РЬТе п-1 ртипу, який полягає в тому, що ВИХІДНІ речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, який відрізняється тим, що вихідну речовину РЬТе додатково легують талієм 2 Спосіб отримання кристалічного РЬТе п- і ртипу по п 1, який відрізняється тим, що для отримання кристалів п-типу легування талієм здійснюють до 0,05 ат %, а р-типу - більше 0,15 ат % Винахід відноситься до технології напівпровідникових матеріалів і може бути застосований у приладобудуванні, термоелектриці, оптоелектроніці Халькогенідні напівпровідники групи A I V B V I (РЬТе, PbSe, PbS), що використовуються як ефективні матеріали для пристроїв інфрачервоної техніки, отримують у вигляді моно- чи полікристалів з розплаву або з газової фази (Равич Ю Н , Ефимова Б А , Смирнов Н А Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe, PbS - M Наука-1968) Однак, ці способи їх отримання складні, дорогі і не дозволяють плавно керувати електричними параметрами Найбільш близьким до запропонованого винаходу є спосіб отримання кристалічного РЬТе, який полягає у тому, що ВИХІДНІ речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації (Абрикосов М X , Шелимова Л Е Полупроводниковые материалы на основе соединений A I V B V I - M Наука -1975) му легування додатковим компонентом вихідних речовин, дозволило б отримати матеріал п- і ртипу провідності Поставлене завдання вирішується тим, що у способі отримання кристалічного PbS, який полягає у тому, що ВИХІДНІ речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, згідно винаходу, як вихідну речовину використовують кристалічний РЬТе легований талієм Експериментальне встановлено, що при додатковому легування ТІ до 0,05ат% кристали РЬТе мають п-тип провідності, а при більше, як 0,15ат% ТІ-тільки р-тип Спосіб отримання кристалічного РЬТе здійснюють таким чином Як вихідну речовину використовують сплав сполук РЬ і Те які легують ТІ ВИХІДНІ речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отри В основу винаходу поставлене завдання створити спосіб отримання кристалічного РЬТе, в яко (О ю ю 57564 ФПК-58, РФА порошків здійснювали на установці мання розплаву, і переміщують у другу зону до ДРОН-0,5 Термоелектричні властивості досліджуздійснення кристалізації вали потенціометричне у постійних електричних і Приклад конкретного виконання магнітних полях Вихідними матеріалами для приготування У залежності від вмісту легуючої домішки тасплавів служили талій марки Тл-ІІІ, свинець марки лію у ВИХІДНІЙ шихті можна отримати кристали С-000, телур - марки ТВ-4 Елементи сплавляли в РЬТе як п- так і р-типу провідності (див фігуру) кварцових ампулах, вакуумованих до 1,33 10 Па Сплави охолоджували протягом декількох діб ЛеОтриманий матеріал може бути використаний говані кристали досліджували методами диферендля створення пристроїв інфрачервоної техніки, в ціально-термічного, рентгенофозового і мікроструоптоелектроніці та термоелектриці ктурного аналізів ДТА проводили на пірометрі .5 0.5 2 NTU ат. % Фіг. Комп'ютерна верстка Н Кураєва Підписано до друку 05 07 2003 Тираж39 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, Львівська площа,8, м Київ, МСП, 04655, Україна ТОВ "Міжнародний науковий комітет", вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна