Павлюк Любомир Ростиславович
Спосіб отримання кристалічного pbse n- i p-типу провідності
Номер патенту: 57565
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Никируй Любомир Іванович, Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Андрій Дмитрович
МПК: C30B 13/00, C30B 11/02
Мітки: спосіб, кристалічного, провідності, p-типу, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання кристалічного PbSe n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...
Спосіб отримання кристалічного pbte n- і p-типу
Номер патенту: 57564
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Яцура Анна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Матеїк Галина Дмитрівна, Павлюк Любомир Ростиславович
МПК: C30B 13/00, C30B 11/02
Мітки: кристалічного, отримання, p-типу, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання кристалічного РbТе n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...
Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- i p-типу
Номер патенту: 53854
Опубліковано: 17.02.2003
Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Дмитро Дмитрович, Калитчук Іван Васильович, Никируй Любомир Іванович, Довгий Олег Ярославович
МПК: C30B 11/02
Мітки: тонких, спосіб, p-типу, плівок, свинцю, отримання, селеніду
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- і p - типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі Тв, нагрівання додаткового джерела свинцю до температури Тд, стінок камери – до температури Тс і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 - до температури Тп, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують попередньо синтезовані кристали PbSe, леговані талієм до 0,2 ат.%, які випаровують при...
Спосіб отримання легованих кристалів pbте n- i p-типу провідності
Номер патенту: 51285
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Никируй Любомир Іванович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Бойчук Володимира Михайлівна, Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: pbте, провідності, спосіб, отримання, легованих, p-типу, кристалів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...
Спосіб отримання легованих плівок pbse n- i p-типу
Номер патенту: 50176
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Нижникевич Володимир Всеволодович, Павлюк Любомир Ростиславович, Галущак Мар'ян Олексійович, Довгий Олег Ярославович, Фреїк Андрій Дмитрович
МПК: C30B 11/02
Мітки: плівок, спосіб, отримання, p-типу, легованих
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих плівок PbSe n- і р-типу методом випаровування у вакуумі вихідної речовини при ТВ, нагріванням додаткового джерела свинцю до ТД, стінок камери - до ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів BaF2 - до ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані талієм, які випаровують при ТВ=970 К, температура додаткового джерела - ТД=900 К, температура стінок...
Спосіб отримання тонких плівок халькогенідів свинцю із великим значенням термоелектричної рушійної сили в атмосфері аргону
Номер патенту: 50130
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Довгий Олег Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Матеїк Галина Дмитрівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: спосіб, отримання, свинцю, плівок, атмосфери, тонких, значенням, великим, рушійної, халькогенідів, аргону, термоелектричної, сили
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких плівок халькогенідів свинцю із великим значенням термоелектричної рушійної сили в атмосфері аргону, який полягає в тому, що плівки вирощують методом квазізамкнутого об'єму шляхом використання наперед синтезованої сполуки РbТе у вигляді порошку, випаровуванням цієї сполуки з наступним осадженням на підігріту підкладку із слюди, який відрізняється тим, що вирощування плівок здійснюють в атмосфері аргону при тиску...
Спосіб отримання плівок телуриду свинцю із великими рухливостями в атмосфері водню
Номер патенту: 50129
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Рувінський Борис Маркович, Довгий Олег Ярославович, Фреїк Андрій Дмитрович, Павлюк Любомир Ростиславович, Никируй Любомир Іванович
МПК: C30B 11/02
Мітки: атмосфери, телуриду, рухливостями, великими, плівок, спосіб, водню, отримання, свинцю
Формула / Реферат:
Спосіб отримання плівок телуриду свинцю із великими рухливостями в атмосфері водню, який полягає в тому, що плівки вирощують методом квазізамкнутого об'єму шляхом випаровування наперед синтезованої речовини і осадження пари на нагріті підкладки із слюди, який відрізняється тим, що плівки РbТе вирощують в атмосфері водню при тиску P(H2)=10-2-10 Па, температура випаровування наважки складає Тв=700-1100К, температура осадження плівок -...