Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій ампулі

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій скляній ампулі при вирощуванні монокристалів методом Бріджмена, що включає завантаження ампули наважкою, розміщення ампули в ростовій печі та вирощування, який відрізняється тим, що ампулу поміщають під ковпак-компенсатор в ростову піч в область високотемпературного плато печі, нагрівають її до температури на 20-50 К вище температури плавлення сполуки, після цього змінюють ступінчасто тиск аргону в камері, для кожного значення тиску вимірюють зміну аксіального розміру ампули, розраховують приріст зміни видовження ампули, на основі чого визначають тиск в ростовій ампулі по точках екстремумів на залежності зміни видовження ампули від величини заданого зовнішнього тиску.

Текст

Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій скляній ампулі при вирощуванні монокристалів методом Бріджмена, що включає завантаження ампули наважкою, розміщення ампули в 3 В корисній моделі запропоновано рішення принципово нове для способів вимірювання тиску компонентів в ростовій ампулі під час вирощування, яке полягає у вимірюванні поздовжньої деформації ампули за спеціальною програмою. Зовнішній тиск інертного газу дорівнюватиме і визначенні внутрішньому тиску в ампулі в точці екстремуму на залежності зміни поздовжнього розміру ампули від зміни зовнішнього тиску інертного газу (3). Такі ознаки не зустрічаються ні в одному з аналогів. Промислове використання запропонованої корисної моделі не вимагає спеціальних технологій і матеріалів, її реалізація можлива на існуючих підприємствах електронного приладобудування. Послідовність виконання запропонованого процесу вимірювання тиску в ростовій ампулі при вирощуванні монокристалів методом Бріджмена наступна. Синтезований CdTe і 5-15г кадмію поміщали в кварцову ампулу, відкачували, запаювали і поміщали її в піч, яка знаходилася в герметичній камері. Камеру евакуумували і заповнювали, наприклад, аргоном до тиску ~0.3атм. Після етапу нагрівання печі до температури ~1100 °C, її витримували декілька годин в такому стані для врівноважування всіх процесів в системі. Далі змінювали ступінчасто тиск аргону за відповідною програмою до ~2.5атм. (1). При кожному значенні тиску інертного газу після встановлення рівноваги вимірювали за допомогою датчика переміщення величину зміни аксіального розміру ампули (2) і визначали приріст видовження ампули. Будували графік залежності приросту видовження ампули Комп’ютерна верстка Н. Лисенко 66476 4 від величини заданого зовнішнього тиску (3). Тиск у ампулі визначали за положенням екстремума (50 відн. од.). Загальний тиск над розплавом повинен був бути 1.45атм. [2], наші виміри дали результат 1.3атм. Після завершення виміру тиску пари Кадмію проводили процес вирощування монокристалів CdTe. Приклад конкретного виконання. Описана методика була використана для контролю тиску пари Кадмію при вирощуванні монокристалів CdTe методом Бріджмена. Розраховані наважки Кадмію і телуру поміщали у кварцову ампулу, відкачували і запаювали її. Далі піч поступово нагрівали до температури 1110 °C для проведення синтезу CdTe. Після завершення синтезу ампули витримували декілька годин для врівноважування всіх процесів в системі і починали процес вимірювання тиску за вище приведеною програмою. Загальний тиск над розплавом повинен був бути 1.45атм. [2], наші виміри дали результат 1.3атм. Після завершення виміру тиску пари Кадмію проводили процес вирощування монокристалів CdTe. Джерела інформації: [1] A. Zappettini, F. Bissoli, L. Zanotti, M. Zha, C. Broglia, С Paorici. "Stoichiometric deviations and partial-pressure measurements in solid-vapour cadmium telluride system", Materials Chemistry and Physics, Vol. 66.-2000. - pp.138-142. [2] J. H. Greenberg. "P-T-X phase equilibrium and vapor pressure scanning of non-stoichiometry in the Cd-Zn-Te system". Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. - vol. 47.-2003. pp.196-238. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for measuring of volatile component pressure in growth ampoule

Автори англійською

Fesh Roman Mykolaiovych, Fochuk Petro Mykhailovych, Heshl Pavel, Kopach Oleh Vadymovych

Назва патенту російською

Способ измерения давления летучего компонента в ростовой ампуле

Автори російською

Феш Роман Николаевич, Фочук Петр Михайлович, Гешл Павел, Копач Олег Вадимович

МПК / Мітки

МПК: C30B 11/00

Мітки: тиску, ампулі, вимірювання, леткого, спосіб, компоненту, ростовій

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-66476-sposib-vimiryuvannya-tisku-letkogo-komponentu-v-rostovijj-ampuli.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій ампулі</a>

Подібні патенти