Спосіб механічної обробки анізотропних кристалів, зокрема моноклінної сингонії

Спосіб механічної обробки анізотропних монокристалів, зокрема моноклінної сингонії, що включає орієнтування монокристалів з наступним шліфуванням і поліруванням, який відрізняється тим, що орієнтування здійснюють щодо двох протилежних сегментів поверхні виходу площини спайності в ділянці великого діаметра перерізу циліндра, потім попередньо видаляють зазначені сегменти, при цьому здійснюють рух абразивних частинок інструмента з боку гострого кута виходу площини спайності на поверхню. (19) (21) 20031213022 (22) 30.12.2003 (24) 17.07.2006 (46) 17.07.2006, Бюл. № 7, 2006 р. (72) Пирогов Євген Миколайович, Бабійчук Інна Петрівна, Бондар Валерій Григорійович, Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Козлов Сергій Миколайович (73) Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України (56) UA 10566, A, 31.08.1998 UA 24066, C2, 31.08.1998 SU 998128, 23.02.1983 3 71836 4 кристала. них сегментів виключає розтріскування монокрисЦей спосіб застосовний до ізотропних і деяких тала при наступній його обробці, тому що в цьому анізотропних монокристалів, але не застосовний випадку результуючі (у результаті векторного додо монокристалів моноклінної сингонії в силу видавання залишкових напружень і напружень від дії щезазначеного. абразивного інструмента на кристал) механічні Відомий спосіб обробки анізотропного монокнапруження менші і не перевищують межи міцносристала ніобату літію [а.с. СРСР №998128, ті, тим самим збільшуючи вихід придатних циліндВ28D5/00], що включає орієнтацію монокристала ричних виробів. щодо напрямку переміщення абразивних частинок Шліфування монокристалічної булі до потрібінструмента з наступним шліфуванням і поліруного розміру циліндричної заготівлі з боку гострого ванням, при цьому шліфування здійснюють під кута виходу площини спайності на поверхню також знижує імовірність розтріскування, тим самим збікутом 60-80 до оптичної осі монокристала. льшуючи вихід придатних циліндричних виробів. Як було сказано, монокристали моноклінної Спосіб механічної обробки анізотропних моносингонії є двоосними. По зовнішньому вигляду і кристалів, зокрема моноклінної сингонії, забезпегабітусу цих монокристалів попередньо визначити чує підвищення виходу придатних циліндричних напрямок цих осей неможливо. Саме орієнтування виробів у 2-2,5 разів за рахунок запобігання їхньозазначених монокристалів щодо їх оптичних осей го розтріскування у критичних сегментах. (але не площини спайності) оптичними чи рентгеПриклад виготовлення сцинтилятора на основі нографічними методами є вкрай складною і тримонокристала GSO діаметром 20мм і довжиною валою операцією. Крім того, орієнтування шліфу60мм. вання під кутом 60-80 до будь-якої оптичної осі Від монокристалічної булі діаметром 30мм і для моноклінних монокристалів не є оптимальним довжиною 80мм відрізають ростові конуса, одері не дозволяє уникнути розтріскування в критичних жуючи заготівлю довжиною 60мм. Заготівлю візуасегментах, приводить до великих втрат матеріалу, льно орієнтують по характерних лініях на поверхні знижує вихід придатних циліндричних виробів. булі щодо критичних сегментів і кута виходу плоВ основу цього винаходу поставлена задача щини спайності. Потім закріплюють заготівлю на розробки способу механічної обробки анізотропкругло-шліфувальному верстаті, критичні сегменти них монокристалів, зокрема моноклінної сингонії, розташовують під робочою поверхнею алмазного який забезпечив би підвищення виходу придатних інструмента. Без обертання заготівлі в напрямку циліндричних виробів за рахунок запобігання їхгострого кута виходу площини спайності по черзі нього розтріскування у критичних сегментах. видаляють обидва сегменти на висоту (товщину По кількості загальних ознак як прототип обшару кристала) 5мм кожний алмазним інструменраний останній з аналогів. том типу 1А1 з алмазним зерном 125/100 на бакеРішення поставленої задачі забезпечується літовій зв'язці. Швидкість обертання інструмента тим, що в способі механічної обробки анізотропних 3000об/хв. при горизонтальній подачі з швидкістю монокристалів, зокрема моноклінної сингонії, що 6мм/хв. Товщина заготівлі в місці видалення кривключає орієнтування монокристала з наступним тичних сегментів становить 20мм, тобто дорівнює шліфуванням і поліруванням, відповідно до винадіаметру виробу. ходу, орієнтування здійснюють щодо двох протиНа наступному етапі включають обертання залежних сегментів поверхні виходу площини спайготівлі зі швидкістю 12об/хв, видаляючи матеріал ності в ділянці великого діаметра перерізу кристала до отримання циліндричної поверхні діациліндра, потім попередньо видаляють зазначені метром 20мм. Потім полірують відомим способом сегменти, при цьому здійснюють рух абразивних до необхідного класу чистоти. Після завершення часток інструмента з боку гострого кута виходу полірування знімають виріб (сцинтиляційний елеплощини спайності на поверхню. мент) з верстата. Виходи площини спайності на поверхню моноАналогічним образом виготовляють циліндрикристала моноклінної сингонії можуть бути легко чні заготівлі (вироби) з інших кристалів моноклінвизначені фахівцем візуально і тому орієнтування ної сингонії. монокристала щодо площини спайності не є складною процедурою і не вимагає додаткових витрат. Попереднє видалення зазначених протилеж Комп’ютерна верстка Л. Купенко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601