Бондар Валерій Григорійович
Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію
Номер патенту: 92705
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Бондар Валерій Григорійович, Гриньов Борис Вікторович, Волошина Олеся Василівна, Жуков Леонід Семенович, Сідлецький Олег Цезаревич, Курцев Данііл Олександрович
МПК: C30B 15/02, G01T 1/202
Мітки: кристалів, спосіб, оксіортосилікатів, лютецію, вирощування, розплаву, гадолінію, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію, допованих церієм, що включає змішування вихідних компонентів шихти: оксидів гадолінію, лютецію, кремнію та церію в стехіометричному співвідношенні, з наступним розплавленням шихти в іридієвому тиглі в інертному середовищі, який відрізняється тим, що після змішування вихідні компоненти шихти попередньо відпалюють на повітрі при 1650±10 °С, витримують...
Спосіб одержання активованих монокристалів піросилікатів рідкісноземельних елементів
Номер патенту: 90632
Опубліковано: 11.05.2010
Автори: Гриньов Борис Вікторович, Бондар Валерій Григорійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Волошина Олеся Василівна, Зеленська Ольга Віталіївна, Герасимов Ярослав Віталійович, Сідлецький Олег Цезарович
МПК: C09K 11/77, C30B 15/00
Мітки: елементів, монокристалів, піросилікатів, спосіб, рідкісноземельних, активованих, одержання
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання активованих монокристалів піросилікатів рідкісноземельних елементів, що включає приготування шихти шляхом змішування вихідних оксидів, їх прожарювання при температурі 1500±10 °С в атмосфері аргону, з наступним плавленням одержаної шихти й вирощування монокристалів методом Чохральского, який відрізняється тим, що використовують склад шихти, що відповідає співвідношенню (32,8-31,8) мол. % (Re2O3+A2O3) : (67,2-68,2) мол. %...
Спосіб вирощування монокристалів з розплаву за методом чохральського та пристрій для його здійснення
Номер патенту: 88579
Опубліковано: 26.10.2009
Автори: Бондар Валерій Григорійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євгеній Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Нагорняк Володимир Теодорович
МПК: C30B 35/00, C30B 15/00
Мітки: чохральського, розплаву, здійснення, вирощування, спосіб, пристрій, монокристалів, методом
Формула / Реферат:
1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...
Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту
Номер патенту: 77593
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Гриньов Борис Вікторович, Бондар Валерій Григорійович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович
МПК: C30B 29/32, C30B 15/00
Мітки: спосіб, вісмуту, германату, вирощування, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту, що включає розплавлення вихідного матеріалу, витягування його на затравку, що обертається, розрощування конусної частини кристала, витягування його циліндричної частини, відділення кристала від розплаву, яке здійснюють збільшенням швидкості витягування до 100-200 мм/хв з подальшим охолодженням одержаного кристала зі швидкістю 100-150 град/год, який відрізняється тим, що перед відділенням...
Спосіб механічної обробки анізотропних кристалів, зокрема моноклінної сингонії
Номер патенту: 71836
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Козлов Сергій Миколайович, Бабійчук Інна Петрівна, Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорійович, Нагорна Людмила Лаврентієвна
Мітки: обробки, сингонії, спосіб, зокрема, анізотропних, механічної, моноклінної, кристалів
Формула / Реферат:
Пристрій для виготовлення полотна з штапельного волокна з гірських порід і містить вузол виготовлення первинних волокон, камеру згоряння та щілинне сопло роздуву з щілинним каналом. Вказане сопло виконане симетрично відносно устя сопла з кутом розкриття 12° ± 2°, а поперечний переріз сопла на вході, як і поперечний переріз камери згоряння на виході, відносяться до поперечного перерізу устя сопла не менше як 5:1, при цьому щілинний канал має...
Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю
Номер патенту: 76025
Опубліковано: 15.06.2006
Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Рижиков Володимир Діомидович, Бабійчук Інна Петрівна, Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорійович
МПК: C30B 29/10, C30B 33/02
Мітки: обробки, термічної, монокристалів, спосіб, вольфрамату, свинцю
Формула / Реферат:
Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...
Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію
Номер патенту: 57145
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Коневський Віктор Семенович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорійович
МПК: C30B 29/34, C30B 33/02
Мітки: гадолінію, спосіб, монокристалів, ортосилікату, відпалу
Формула / Реферат:
Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію шляхом нагрівання монокристалів до температури відпалу по нелінійному закону, наступної ізотермічної витримки при цій температурі і зниженням температури також по нелінійному закону, який відрізняється тим, що відпал монокристалів відтворюють у тепловому полі з осьовим градієнтом температури від 0,3 до 0,75 град/см, підвищують температуру до 600 - 750°С зі швидкістю 28 - 33 град/г, потім до...