Кривошеін Вадим Іванович

Номер патенту: 88507

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 29/22, C30B 15/00

Мітки: оксидів, шихти, варіанти, спосіб, складних, наплавлення, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб наплавлення шихти монокристалів складних оксидів, що включає завантаження шихти в бункер печі, розміщення його над тиглем співвісно останньому, з подальшим нагрівом, переміщення одержаного розплаву в тигель шляхом перетікання через отвір в дні бункера, витримку розплаву, після чого тигель охолоджують, починаючи з його нижньої частини, який відрізняється тим, що як піч використовують піч з індукційним нагрівачем, розміщену у...

Номер патенту: 86154

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 15/10, C30B 35/00

Мітки: зокрема, відновлення, спосіб, іридію, металів, тиглів, коштовних

Формула / Реферат:

Спосіб відновлення тигля з коштовного металу, зокрема з іридію, що містить його попередній відпал при тиску 10-1 – 10-3 торр з подальшим зварюванням тріщин, який відрізняється тим, що відпал здійснюють при 2000-2200 °С протягом 0,5-1,0 години з подальшим охолодженням зі швидкістю 400-700 град/год.

Номер патенту: 86135

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Бондар Валерій Григорович, Сідлецький Олег Цезаревич, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 15/14, C30B 15/20

Мітки: випромінювання, низькою, пристрій, монокристалів, теплового, вирощування, прозорістю

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з низькою прозорістю для теплового випромінювання методом Чохральського, який містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою пластину з коаксіальним отвором в центральній її частині, який відрізняється тим, що екран виконаний у вигляді кільцевої пластини, зовнішній діаметр...

Номер патенту: 77593

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Гриньов Борис Вікторович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: спосіб, вирощування, вісмуту, германату, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту, що включає розплавлення вихідного матеріалу, витягування його на затравку, що обертається, розрощування конусної частини кристала, витягування його циліндричної частини, відділення кристала від розплаву, яке здійснюють збільшенням швидкості витягування до 100-200 мм/хв з подальшим охолодженням одержаного кристала зі швидкістю 100-150 град/год, який відрізняється тим, що перед відділенням...

Номер патенту: 71836

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Козлов Сергій Миколайович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Бабійчук Інна Петрівна, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: B28D 5/00, B24B 1/00

Мітки: моноклінної, кристалів, спосіб, сингонії, механічної, обробки, зокрема, анізотропних

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення полотна з штапельного волокна з гірських порід і містить вузол виготовлення первинних волокон, камеру згоряння та щілинне сопло роздуву з щілинним каналом. Вказане сопло виконане симетрично відносно устя сопла з кутом розкриття 12° ± 2°, а поперечний переріз сопла на вході, як і поперечний переріз камери згоряння на виході, відносяться до поперечного перерізу устя сопла не менше як 5:1, при цьому щілинний канал має...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Бабійчук Інна Петрівна, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорійович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Нагорна Людмила Лаврентієвна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/10

Мітки: обробки, спосіб, монокристалів, термічної, свинцю, вольфрамату

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Номер патенту: 45110

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 15/36

Мітки: монокристалів, гадолінію, ортосилікату, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію методом Чохральського в інертному середовищі з доданням кисню на запал, орієнтовану вздовж певного кристалографічного напряму, з подальшим охолоджуванням в умовах осьового температурного градієнта, що не перевищує 10 град/см, яким відрізняється тим, що використовують запал, орієнтовану вздовж кристалографічного напряму Х, а температурний градієнт забезпечують відкачкою ростової камери до...

Номер патенту: 24488

Опубліковано: 21.07.1998

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діимидович, Півень Леонід Олексійович, Грінчук Іван Романович, Козлов Сергій Миколайович, Пирогов Євген Миколайович, Коваль Олександр Федорович, Кривошеін Вадим Іванович, Табачний Леонід Якович, Соломатин Юрій Петрович

МПК: G01T 1/15, G01R 23/00

Мітки: сцинтиблок, реєстрації, гамма-випромінювання, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Сцинтиблок для регистрации гамма-излучения, содержащий сцинтиллятор и фотоэлектронный умножитель, оптически сочлененные элементом оптической связи, выполненном на основе кремнийорганического соединения, отличающийся тем, что выходная поверхность сцинтиллятора, прилегающая к элементу оптической связи, выполнена с шероховатостью 0,8 - 1,4мкм, а другие его поверхности - с шероховатостью 1,5 - 2,5мкм.2. Способ изготовления сцинтиблока...

Номер патенту: 16688

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горішній Юрій Васильович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Литичевський Маркс Ізрайлович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович, Загвоздкін Борис Васильович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 29/22, C30B 11/00

Мітки: синтезу, шихти, наплавлення, здійснення, спосіб, германоевлитину, пристрій

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза и наплавления шихты гер-маноэвлинита для выращивания кристаллов, включающий загрузку исходного сырья и нагрев его в печи, твердофазный синтез при нагреве со скоростью 10-20 град/мин, выдержку и охлажде­ние в тигле, отличающийся тем, что. с целью обес­печения полноты синтеза, улучшения качества кристаллов и снижения их себестоимости, сырье загружают в бункер, устанавливают его над тиглем и помещают в печь, предварительно...

Номер патенту: 16599

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бондар Валерій Григорович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бурачас Станіслав Феліксович, Тіман Беніамін Липович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Загвоздкін Борис Васильович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: вісмуту, спосіб, германату, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов герма-ната висмута, включающий вытягивание из рас­плава на вращающуюся затравку и разращивание до заданного диаметра верхней конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части кристалла заданной длины, уменьшение скорости вращения, выращивание нижнего когуса, отделе­ние кристалла от расплава и его охлаждение, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения выхода годных,...

Номер патенту: 16679

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горішній Юрій Васильович, Бондар Валерій Григорович, Салійчук Олена Костянтинівна, Федорова Надія Миколаївна, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/32, C30B 15/00 ...

Мітки: одержання, вісмуту, монокристалів, структурою, германату, евлітину, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов германа-та висмута со структурой эвлитина, включающий нагрев и выдержку исходных оксидов германия и висмута, их смешение, загрузку в платиновый ти­гель, нагрев, гомогенизирующую выдержку в тече­ние 2-3 ч, дозагрузку оксидов и выращивание монокристаллов вытягиванием на затравку, отли­чающийся тем, что, с целью сокращения длитель­ности процесса и уменьшения загрязнения расплава и кристаллов и коррозии тигля,...

Номер патенту: 17930

Опубліковано: 03.06.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Волошин Василь Олексійович, Мартинов Валерій Павлович, Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 15/00

Мітки: шихти, спосіб, складних, монокристалів, наплавління, оксидів

Формула / Реферат:

Способ наплавлення шихты монокристаллов сложных оксидов, включающий загрузку шихты в тигель, помещение тигля в узел наплавлення, нагрев тигля индукционным методом до полного расплавления шихты при постоянной номинальной подводимой к индуктору мощности, догрузку и доплавление шихты и охлаждение тигля до затвердевания расплава, отличающийся тем, что после полного расплавления шихты увеличивают подводимую к индуктору мощность на 10-20% от...

Номер патенту: 6395

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Мартинов Валерій Павлович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/02

Мітки: спосіб, тиглів, вирошування, відновлення, монокристалів, коштовних, металів

Формула / Реферат:

(57) Способ восстановления тиглей из драгоценных металлов для выращивания монокристаллов, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что перед прокаткой тигель отжигают при 1200-1400°С и давлении 101-10-3 торр в течение 0,5-5,0 часов.

Номер патенту: 5386

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Кривошеін Вадим Іванович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Мартинов Валерій Павлович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: вісмуту, германату, монокристалів, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий затравление на вращающуюся затравку, разращивание верхней конусной части монокристалла с заданным телесным углом и вытягивание цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, отличающийся тем, что разращивание верхней конусной части осуществляют в пределах телесного угла 130-160 град.

Номер патенту: 3391

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Загвоздкін Борис Васильович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Кривошеін Вадим Іванович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович

Мітки: вирощування, спосіб, вісмуту, монокристалів, германату

Формула / Реферат:

(57) Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий расплавление исходного материала в платиновом тигле с помощью высокочастотного индуктора, затравление на вращающуюся затравку, разращивание конусной части кристалла, вытягивание его цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что после отделения кристалла мощность индуктора уменьшают в 1,5-2,5 раза в течение 2...