Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3 мас %.

Текст

Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3мас %. (19) (21) a200608436 (22) 27.07.2006 (24) 10.08.2007 (46) 10.08.2007, Бюл. №12, 2007р. (72) Квітницька Валентина Захарівна, Козин Дмитро Миколайович, Ополонін Олександр Дмитрович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович (73) ІНСТИТУТ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ МАТЕРІАЛІВ НАН УКРАЇНИ 3 80070 елементами і відбивачем, поліпшуючи при цьому світлозбирання, отже і рентгеночутливість лінійок. Застосування полірувального складу дозволяє одержати поверхню кристалічної лінійки без подряпин, чорних крапок, порушення поверхневого шару за ра хунок дрібнодисперсності двоокису кремнію і в'язкого зв'язувального - типу СКТНМЕД, тому додаткової чистової обробки поверхні не потрібно. Зміст двоокису кремнію 2-3мас % і в'язкість СКТН-МЕД - 7 пуаз у полірувальному складі є оптимальним і обрано в процесі проведення експерименту. Зменшення вмісту двоокису кремнію приводить до погіршення якості оброблюваної поверхні, тому що поверхня залишається матовою, і для одержання полірованої поверхні потрібно значний час обробки, що є не доцільним. Збільшення умісту двоокису кремнію збільшує в'язкість полірувального складу, що може викликати руйн ування лінійки в процесі обробки. Приклад 1. Були вигото влені 16-ти елементні лінійки на основі Cs(Tl), розміром 25,5х4,0х4,0мм. Відстань між елементами 0,3мм заповнювали світловідбиваючим складом на основі епоксидної смоли і двоокису титана. Готували полірувальний склад, що містив 2,5мас % двоокису кремнію з розмірами часток 2040мкм (ДСТ 14922-77) і 97,5мас % каучуку СКТН МЕД в'язкістю 7 пуаз. Приготовленим складом були відполіровані 5 шт. кристалічних лінійок. Одночасно з цим були виготовлені 5шт. кристалічних лінійок на основі 4 CsI(Tl) того ж розміру для полірування складом відповідно до прототипу. Полірувальний склад містив як абразивний матеріал F230, з розміром зерна 63мкм, як полірувальну рідину - 90мас. % олігодеметілсилоксану ПМС-5 і 10мас. % олігодиетілсилоксану ПЭС-3. Приготовленим складом нам вдалося відполірувати 2 лінійки, в інших відбулося відшаровування відбивача від кристалічних елементів, що викликало руйнування лінійок. Після полірування поверхня 2х цілих лінійок була промита тетраетоксисиланом (ТЭОС). Полірування всіх лінійок робили на полірувальному верстаті типу Д-150 з перемінним числом обертів у залежності від використаного абразиву. Полірування закінчували при відсутності на полірувальній поверхні слідів обробки і відповідної шорсткості, не допускались відколи і тріщини на елементах лінійки. Контроль відполірованих лінійок проводили під мікроскопом типу МБС-9. Відполіровану поверхню отриманих лінійок оптично з'єднували з фоточутливою площинкою фотодіодів з використанням оптичної композиції на основі СКТН-МЕД і каталізатора К-68. Вимір рентгеночутливості модуля детекторів проводили з використанням вольтметра В7-35 і рентгенівського джерела ИРИ (Ua=100мв, Ia=1,0ма), при цьому проводили вимір рентгеночутливості кожного детектора (елемента лінійки) і визначали його середнє значення. Результати виміру рентгеночутливості модуля детекторів представлені у таблиці. Таблиця Рентгеночутливість (R) нА·хв/Р·см 2 Прототип Пропоноване технічне рішення 92,8 120,7 93,3 120,0 Брак 121,5 Брак 120,1 Брак 121,0 93,0 120,6 № 1 2 3 4 5 Середнє Як видно з таблиці, пропоноване технічне рішення дозволяє: - поліпшити рентгеночутливість модулів детекторів у середньому на 23%, Комп’ютерна в ерстка В. Клюкін - підвищити вихід працездатних модулів детекторів у середньому на 40%. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

A polishing mixture

Автори англійською

Kvitnytska Valentyna Zakharivna, Ryzhykov Volodymyr Diomydovych, Halkin Serhii Mykolaiovych, Voronkin Yevhenii Fedorovych

Назва патенту російською

Полировальная смесь

Автори російською

Квитницка Валентина Захаровна, Рыжиков Владимир Диомидович, Галкин Сергей Николаевич, Воронкин Евгений Федорович

МПК / Мітки

МПК: C09G 1/00, G01T 1/202

Мітки: суміш, полірувальна

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-80070-poliruvalna-sumish.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Полірувальна суміш</a>

Подібні патенти