Високочастотний точковий діод

Високочастотний точковий діод, що містить (24) 15.02.2001 підкладку з монокристалічного напівпровіднико(33) UA вого матеріалу n-типу провідності, з якою кон(46) 15.02.2001, Бюл. № 1, 2001 р. тактує загостреній кінець вольфрамового дроту, (72) Шаповалов Віталій Павлович, Татаринов який зігнутий у пружину, що відрізняється тим, В'ячеслав Ігорович, Черненко Олександр що підкладка доповнена n+-шаром із сторони Анатолійович дроту та р-шаром з іншої сторони підкладки. _________________________________ 32802 На кресленні представлений поздовжній розріз підкладки високочастотного діода, що заявлений. Підкладка 1 з монокристалевого напівпровідникового матеріалу n-типу містить точкову р+область 2, із сторони якої утворюється n+-шар 3 та з іншої сторони р-шар 4. З підкладкою 1 контактує загострений кінець вкритого молібденом або вольфрамом дроту 5, що зігнутий у пружину. Принцип роботи діода полягає у наступному. Струм крізь діод при накладенні прямого зміщення ("мінус" до точкової р+-області 2) протікає за допомогою тунельного механізму крізь зворотно зміщений р+-n+-перехід та далі дифузійним механізмом крізь прямо зміщений n-р-перехід між областями 1 та 4. При накладенні зворотного зміщення до діода ("плюс" до точкової р+-області 2) n-р-перехід між областями 1 та 4 зміщується у зворотному напрямку та надійно зачиняє діод. Приклад виготовлення високочастотного діода. На пластині монокристалевого напівпровідниковою германію n товщиною 100 мкм утворюють n+-шар та р-шар за допомогою процесу іонної імплантації з наступною дифузійною розгонкою. Для створення р-шару, за допомогою іоннопроменевого прискорювача "Везувій-3М", проводять упровадження атомів бору з дозою опромінення від 0,02 мкКл/см2 до 2000 мкКл/см2, залежно від рівня легірування, що вимагається, та подальшу дифузійну розгонку у дифузійній печі СДО125/4 при температурі та часі, що забезпечує глибину залягання шару більше 5 мкм. Так, наприклад, при дозі опромінення 0,09 мкКл/см2, темпе ратурі розгонки 850°С та часі 0,8 год. концентрація домішних атомів у р-шарі складе 2×1014 см2 із глибиною залягання шару 5 мкм. Потім на аналогічному обладнанні створюють n+-шар шляхом легірування протилежної сторони пластини фосфором з дозою опромінення 2000 мкКл/см2 з температурою розгонки 800°С та часом розгонки 0,33 год, що забезпечує створення n+-шару з концентрацією домішних атомів 7×1019 см2 з глибиною залягання шару 5 мкм. Глибина залягання n+

шару повинна бути трохи більша глибини залягання точкової р+-області з метою отримання мінімальної напруги відкриття діода та можливо меншою для отримання максимальної напруги відкриття діода. Концентрація домішкових атомів у n+-шарі повинна забезпечити можливість утворення тунельного переходу з точковою р+-областю. Після розрізання пластин на кристали та приведення вістря дроту у контакт з кристалом із сторони n+-шару методом електричної формовки, під час пропускання пульсуючого струму, у місці контакту голки з кристалом утворюють р+-область. Винахід забезпечує надійну роботу діода при зворотних напругах не менше 100 В, надає можливість у широкому діапазоні, від 0,2 В до 2,0 В керувати напругою відкриття діода при робочій частоті вище 50 МГц. Виходячи з вищевикладеного, можна зробити висновок, що запропоноване технічне рішення задовольняє критерію "застосованність". Фіг. 2 32802 __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 3