Спосіб юстування порогових напруг структур к-мон віс радіаційною технологією
Номер патенту: 36456
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бережанський Володимир Михайлович
Формула / Реферат
1. Спосіб юстування порогових напруг структур К-МОН ВІС радіаційною технологією, що включає в себе всі операції формування субмікронних структур, який відрізняється тим, що юстування порогових напруг проводиться за допомогою радіаційної технології в два етапи: попереднє - після формування підзатворного діелектрика багатозарядною імплантацією домішки в приповерхневі затворні області і концентрацією 1014-1015 см-3 на глибину 0,1-0,5 мкм для запобігання змиканню стік-витокових областей і фінішне - після завершення всіх операцій по формуванню структур α-опроміненням для забезпечення заданої точності і симетричних значень порогових напруг n- і р-канальних індукованих польових транзисторів за рахунок генерації позитивних пасток та захоплення на них зарядів в підзатворному діелектрику.
2. Спосіб юстування порогових напруг структур К-МОН ВІС радіаційною технологією згідно з п. 1, який відрізняється тим, що імплантаційна доза багатозарядних іонів бору, фосфору, миш'яку складає 0,01-0,1 мкКл/см2 при Е=30 кеВ, а доза α-опромінення складає 1,2·1010-1,4·1013 см-2 при E=5 МеВ.
Текст
1. Спосіб юстування порогових напруг стр уктур К-МОН ВІС радіаційною технологією, що включає в себе всі операції формування субмікронних структур, який відрізняється тим, що юстування порогових напруг проводиться за допомогою радіаційної технології в два е тапи: попереднє - після формування підзатворного діелектрика багатозарядною імплантацією домішки в приповерхневі томий заряд збідненого шару поверхні, Cox - питома ємність затворної системи. Як, звичайно, напруга плоских зон як для n-, так і р-канальних транзисторів є майже однаковою і від'ємною. Тому порогова напруга р-канального транзистора є завжди від'ємною. Для n-канального транзистора порогова напруга може бути як від'ємною так і додатною, чи нульовою. Це залежить від степені легування кремнієвої підкладки, як це показано на Фіг. Але забезпечити симетричність цих порогових напруг відносно осі абсцис (концентрація) є не реальним. Тому при проектуванні КМОН ВІС закладається зразу ця несиметричність порогових напруг. Сам процес юстування здійснюється іонним підлегуванням каналів відповідних транзисторів. Але нижній рівень порогових напруг (11) ціали в Si-підкладці для р- і n-областей, Q d - пи UA де VFB - напруга плоских зон, Ф р , Ф n - потен (19) VTp = VFB - 2 Ф n - Q d / Cox (2) 36456 VTn = VFB + 2 Фр + Q d / C ox (1) 3 36456 може складати - (0,6 ¸ 0,7)B для VTn і - (0,7 ¸ 1,0)B для р-канальних транзисторів при концентрації Siпідкладки N = 1015см -3 . Тобто, прецизійне юстування порогових напруг з точністю
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for regulating voltage by means of к-мон віс radiotechnology
Автори англійськоюNovosiadlyi Stepan Petrovych, Berezhanskyi Volodymyr Mykhailovych
Назва патенту російськоюСпособ юстирования пороговых напряжений структур к-мон віс радиационной технологией
Автори російськоюНовосядлый Степан Петрович, Бережанский Владимир Михайлович
МПК / Мітки
МПК: H05K 13/00
Мітки: радіаційною, спосіб, к-мон, напруг, структур, порогових, технологією, юстування, вісь
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-36456-sposib-yustuvannya-porogovikh-naprug-struktur-k-mon-vis-radiacijjnoyu-tekhnologiehyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб юстування порогових напруг структур к-мон віс радіаційною технологією</a>
Спосіб юстування дзеркал телескопа
Номер патенту: 31709
Опубліковано: 25.04.2008
Автор: Долгов Андрій Олександрович
МПК: G08B 27/00
Мітки: юстування, спосіб, дзеркал, телескопа
Формула / Реферат:
1. Спосіб юстування дзеркал телескопа, що включає установку лазерного джерела світла в окулярній частині телескопа так, щоб лазерний промінь направлявся по оптичній осі окулярної частини на вторинне діагональне дзеркало телескопа і юстування головного й вторинного дзеркал телескопа таким чином, щоб хід лазерного променя, відбитого від головного дзеркала, збігався з ходом падаючого променя, який відрізняється тим, що лазерний промінь...
Схема для генерування негативних напруг і генератор накачування зарядів для генерування негативних напруг
Номер патенту: 52716
Опубліковано: 15.01.2003
Автори: Блох Мартін, Лаутербах Хрістл
МПК: G11C 16/06, G11C 5/14, H02M 3/04
Мітки: генерування, генератор, схема, зарядів, негативних, накачування, напруг
Формула / Реферат:
1. Схема для генерування негативних напруг, що містить перший транзистор (Тх2), перший вивід якого з'єднаний із вхідним виводом (Е), а другий вивід якого з'єднаний із вихідним виводом (А) схеми, і вивід затвора якого через перший конденсатор (Сb2) з'єднаний із першим виводом тактового сигналу, другий транзистор (Тy2), перший вивід якого з'єднаний із виводом затвора першого транзистора (Тх2), другий вивід якого з'єднаний із другим виводом...
Спосіб виготовлення “кремній на ізоляторі”-структур
Номер патенту: 32784
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: H01L 27/12
Мітки: ізоляторі"-структур, виготовлення, спосіб, кремній
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення "кремній на ізоляторі"-структур, згідно якого на вихідній кремнієвій пластині послідовно формують шар ізолюючого окису кремнію, шар полікремнію, допоміжні капсулююче та антивідбиваюче покриття, проводять лазерну рекристалізацію шару полікремнію, методом травлення знімають допоміжні покриття, який відрізняється тим, що після зняття допоміжних покрить проводять термічне окислення рекристалізованого полікремнію і...
Спосіб визначення напруг у різальному клині інструмента
Номер патенту: 34410
Опубліковано: 11.08.2008
Автори: Карпина Сергій Анатолійович, Усачов Петро Антонович
МПК: G01L 1/24
Мітки: клині, інструмента, спосіб, напруг, різальному, визначення
Формула / Реферат:
Спосіб визначення напруг у різальному клині інструмента, що базується на дослідженні напруг за допомогою поляризаційно-оптичного проміння, який відрізняється тим, що полірують бокову поверхню робочої частини інструмента, виготовленої із інструментальної сталі, наклеюють на бокову поверхню пластину із епоксидної смоли, ведуть різання реального конструкційного матеріалу, направляють по черзі промінь монохроматичного і білого світла на...
Спосіб виготовлення структур кремній-на-ізоляторі
Номер патенту: 34721
Опубліковано: 15.03.2001
Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович
МПК: H01L 27/12
Мітки: виготовлення, структур, кремній-на-ізоляторі, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення структур кремній на ізоляторі, який включає послідовне нанесення на монокремнієву підкладку шару ізолюючого окису, формування контактних областей з монокремнієвою підкладкою, нанесення полікремнієвого шару, капсулюючого та просвітляючого покрить і рекристалізацію полікремнієвого шару лазерним опроміненням, який відрізняється тим, що перед нанесенням полікремнієвого шару в контактних областях з монокремнієвою підкладкою...
Попередній патент: Пристрій для оброблення тривалостей імпульсів
Наступний патент: Ударно-вібраційний випробувальний стенд
Випадковий патент: Спосіб вирощування картоплі