H01L 27/12 — з підкладкою з неполупроводніка, наприклад діелектрика

Номер патенту: 7677

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Павлиш Володимир Андрійович, Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/12, H03K 19/0948

Мітки: кремній-на-ізоляторі, структур, інвертор, основі

Формула / Реферат:

1. Інвертор на основі структур кремній-на-ізоляторі, що складається з монокристалічної кремнієвої підкладки з послідовно розміщеними на ній шарами ізолюючого окислу, рекристалізованого полікремнію з активними областями каналів навантажувального та ключового транзисторів протилежних типів провідності, що включають області стоків та витоків, підзатворного діелектрика й електродів затворів із полікремнію, які з'єднані між собою і є входом...

Номер патенту: 34721

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 27/12

Мітки: структур, спосіб, виготовлення, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур кремній на ізоляторі, який включає послідовне нанесення на монокремнієву підкладку шару ізолюючого окису, формування контактних областей з монокремнієвою підкладкою, нанесення полікремнієвого шару, капсулюючого та просвітляючого покрить і рекристалізацію полікремнієвого шару лазерним опроміненням, який відрізняється тим, що перед нанесенням полікремнієвого шару в контактних областях з монокремнієвою підкладкою...

Номер патенту: 32784

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/12

Мітки: ізоляторі"-структур, спосіб, виготовлення, кремній

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення "кремній на ізоляторі"-структур, згідно якого на вихідній кремнієвій пластині послідовно формують шар ізолюючого окису кремнію, шар полікремнію, допоміжні капсулююче та антивідбиваюче покриття, проводять лазерну рекристалізацію шару полікремнію, методом травлення знімають допоміжні покриття, який відрізняється тим, що після зняття допоміжних покрить проводять термічне окислення рекристалізованого полікремнію і...

Номер патенту: 4120

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Кеньо Галина Володимирівна, Костур Володимир Георгійович, Когут Ігор Тимофійович, Процайло Ігор Богданович

МПК: H01L 27/12

Мітки: кнд, транзистор, мдн

Формула / Реферат:

КНД МДП-транзистор, содержащий монокристаллическую подложку с последовательно расположенными на ней слоями изолирующего окисла, рекристаллизованного поликремния с активной областью канала, включающего области истока и стока, подзатворного диэлектрика и электрода затвора из поликремния, контакты к областям стока и истока, планарный дополнительный контакт к канальной области, отличающийся тем, что дополнительный контакт выполнен в виде...