Патенти з міткою «кремній-на-ізоляторі»

Номер патенту: 49691

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/00

Мітки: структурою, мон-транзистор, тривимірний, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

Тривимірний МОН-транзистор зі структурою "кремній-на-ізоляторі", який складається із кремнієвої підкладки р-типу провідності, на якій послідовно сформовані шар ізолятора, підканальна область у вигляді монокристалічної плівки кремнію р- або n-типу провідності, шар підзатворного діелектрика, затвор і прилеглі до затвора стік-витокові області, леговані електрично активною домішкою n- або р-типу провідності відповідно, який...

Номер патенту: 36855

Опубліковано: 10.11.2008

Автор: Когут Ігор Тимофійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: виготовлення, спосіб, структур, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур "кремній-на-ізоляторі", який включає послідовне формування на кремнієвій пластині шару ізолятора, відкриття в ньому вікон для контактів-зародків полікремнію із пластиною, нанесення шару полікремнію, капсулюючого і просвітлюючого покрить у вигляді смужок із нітриду кремнію та наступну лазерну перекристалізацію шару полікремнію шляхом сканування лазерним променем, який відрізняється тим, що шар ізолятора...

Номер патенту: 36463

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович, Сапон Сергій Васильович

МПК: C30B 31/00

Мітки: тривимірних, кремній-на-ізоляторі, локальних, виготовлення, структур, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур "кремній-на-ізоляторі", який включає маскування поверхні пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, створення в пластині проміжків, як між ділянками маскуючого покриття, так і на заданій глибині під поверхнею пластини для формування в цих місцях анодуванням пористого кремнію та його проокислення з формуванням ізолюючого окислу кремнію, який відрізняється тим, в...

Номер патенту: 34277

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Сапон Сергій Васильович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: C04B 41/00

Мітки: мікроструктур, локальних, кремній-на-ізоляторі, типу, спосіб, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування локальних мікроструктур типу "кремній-на-ізоляторі", який включає послідовне формування на кремнієвій пластині шару ізолятора, відкриття в ньому вікон для контактів-зародків полікремнію із пластиною, нанесення шару полікремнію, який відрізняється тим, що на поверхні кремнієвої пластини формують локально розташовані ділянки ізолятора із окислу або оксинітриду кремнію товщиною 0,3-1,0 мікрометра, топологія яких є...

Номер патенту: 29701

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 29/66

Мітки: кремній-на-ізоляторі, структурами, пристроях, інтегральних, контакт

Формула / Реферат:

1. Контакт в інтегральних пристроях зі структурами "кремній-на-ізоляторі" між шаром металу через контактне вікно у міжшаровому діелектрику до полікремнієвого затвора або стокової чи витокової області МОН-транзистора, сформованого на основі структур "кремній-на-ізоляторі", який відрізняється тим, що розміри контактного вікна в зоні контактування металу і шини із кремнієвої "плівки-на-ізоляторі" є більшими, ніж...

Номер патенту: 29698

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 29/66

Мітки: структурами, кремній-на-ізоляторі, ключовий, діодах, шотткі, елемент

Формула / Реферат:

Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами "кремній-на-ізоляторі", який складається із підкладки р-типу провідності, на якій послідовно розміщують шари ізолятора та смужку із монокристалічної плівки кремнію n-типу провідності, який відрізняється тим, що в смужці із плівки кремнію витравлюють 5 вузьких канавок на всю товщину рекристалізованої плівки кремнію, причому 3 сусідні канавки заповнюють алюмінієм для утворення бар'єрів...

Номер патенту: 7677

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Павлиш Володимир Андрійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 27/12, H03K 19/0948

Мітки: основі, інвертор, структур, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

1. Інвертор на основі структур кремній-на-ізоляторі, що складається з монокристалічної кремнієвої підкладки з послідовно розміщеними на ній шарами ізолюючого окислу, рекристалізованого полікремнію з активними областями каналів навантажувального та ключового транзисторів протилежних типів провідності, що включають області стоків та витоків, підзатворного діелектрика й електродів затворів із полікремнію, які з'єднані між собою і є входом...

Номер патенту: 34721

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 27/12

Мітки: виготовлення, структур, кремній-на-ізоляторі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур кремній на ізоляторі, який включає послідовне нанесення на монокремнієву підкладку шару ізолюючого окису, формування контактних областей з монокремнієвою підкладкою, нанесення полікремнієвого шару, капсулюючого та просвітляючого покрить і рекристалізацію полікремнієвого шару лазерним опроміненням, який відрізняється тим, що перед нанесенням полікремнієвого шару в контактних областях з монокремнієвою підкладкою...