Спосіб синтезу монокристалів алмазу
Номер патенту: 1372
Опубліковано: 25.03.1994
Автори: Білоусов Ігор Святославович, Заневський Олег Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Вітюк Віктор Іванович
Формула / Реферат
1. Способ синтеза монокристаллов алмаза путем воздействия высокого давления и температуры на источник углерода на основе алмазных зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза, в качестве источника углерода используют алмазные зерна размером не менее 100 мкм, предварительно пропитанные металлом или сплавом, растворяющимся в растворителе углерода в условиях синтеза.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что металл берут из группы, включающей медь, олово, цинк, никель, а спутав — из группы, включающей железо—никель, железо—алюминий, медь—олово.
3. Способ по пп. 1, 2, отличающийся тем, что в качестве растворителя углерода используют сплав из группы, включающей железо—никель—углерод, железо—алюминий, никель—марганец—углерод, железо—никель—кобальт, железо—марганец— углерод.
Текст
Изобретение относится к технологии получения крупных монокристаллов алмаза, а именно к способу синтеза монокристаллов апмаза на затравках для целей электронной промышленности. Цель изобретения - повышение теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза. Собирают ростовую ячейку, а качестве основных компонентов которой берут : растворитель углерода (сплав Уе Н\ С ); источник углерода - алмазные v 46 42 12' ' У зерна размеров не менее 100 мкм, пропитанные никелем в вакууме при 1773 К, затравочную систему 5 затравок, ориентированных к расговриіелю кубической гранью, и барьерный слой, отделяющий затравочную систему от сплава-растворителя. Посге этого растовую ячейку помещают в аппарат высокого давления и создают в нем необходимое давление и температуру. Параметры термобарической выдержки составляют 5.9 ГПа и 1673 К. Время выдержки 12 ч. По окончании выдержки выключают нагрев и из ростовой ячейки путем химической обработки извлекают выращенные кристаллы алмаза желто-лимонного цвета с размером 1.3 - 1,5 мм Теплопроводность полученных монокристаллов алмаза 1600 - 1800 Вт (м • К), термостойкость 1673 1773 К. 2зпф-лы, 1 табл. о 00 О ^ ••*• 1655080 Изобретение относится к технологии получения крупных монокристаллов ачмаэа, а именно к способу синтеза монокри* сталлоо алмаза на затравке для целей электронной промышленности. Целью изобретения является повышение теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза. Способ осуществляют следующим образом. П р и м е р . Собирают ростовую ячейку, основными компонентами которой япляются: а) растворитель углерода ~ сплао Fe/j6Ni42Ci2; б) источник углерода - алмазный порошок с пористостью 100/30 мкм, пропитанный никелем. При этом пропитку алмазного порошка никелем осуществляют следующим образом. В ячейку высокого давления насыпают алмазный порошок и сверху него помещают никель а количестве, рассчитанном так, чтобы никель, расплавившись, заполнил весь объем пор в порошке. Затем систему нагружают до давления в ячейке ~ 5,0 ГПа, после чего температуру в камеро повышают со скоростью 3-5 К/мин до температуры плавления никеля 1893 К. Выдержав систему при этих параметрах в течение 20-30 с, производят закалку образца выключением тока нагрева, Полученный компакт используют в качестве источника углерода. 10 20 25 30 а} затравочная система ™ 5 рассредоточенных затравок, ориентированных к растворителю кубической гранью; г) барьерный слой, отделяющий затра- 35 вочную систему от сплава-растворителя платиновая фольга толщиной 0,05 мм. После этого ростовую систему с элементами токоізвода помещают и пирофиллите вую трубку, а затем всю сборку закладывают в форвакуумний сушильный шкаф и выдерживают ее при 393-403 К в течение 10-12 ч После этого систему заполняют аргоном, извлекают из сушильного шкафа и помещают в аппарат высокого давления. Параметры термобарической выдержки составляют: давление - 5,9 ГПа, температура 1673 К, прсмя выдержки 12 ч. По окончании выдержки нагрев выключают и из ростовой ячейки путем химической обработки извлекают выращенные кристаллы. В результате получают пять монокристаллов алмаза желто-лимонного цвета с максимальным размером 1,3-1,5 мм. Качество выращенных монокристаллов оценивают по наличию п них включений, а также по данным теплопроводности и термостойкости. По данному примеру количество включений в каждом из кристаллов составило 2-3 шт. В качестве металла для пропигки источника углерода по данному изобретению используют медь, олово, цинк, никель, а также сплавы: жолезо-злюминип, медь-олово. При этом необходимым условием для выбора металла или сплава для пропитки источника углерода является то, чтобы пропитывеющий металл растворялся в раствори голе углерода в условиях синтеза монокристаллов алмаза. В таблице представлены данные по свойствам монокристаллов алмазов, полученных поданному изобретению, в зависимости от состава источника углерода и растворителя углерода, в сравнении с аналогичными характеристиками монокристаллов алмаза, полученных по изпестному способу. Состав источника углерода Зернистость Сплав-растворитель алмазного Пример углерода порошка, мкм Предлагаемый 1 Алмазный порошок, пропитанный никелем при давлении 5,0 ГПа 2 - 400/315 Pe-NI-C 400/315 Fe-Ni-C 400/315 FeosAls Алмазный порошок, пропитанный 42Н (43% пикеля+57% железа) при давлении 5,0 ГПа 3 Алмазный порошок, пропитанный сплавом Fegr>Ai5 при давлении 5,0 ГПа 16550BO Продолжимие таблицы Состав источника углерода Зернистость Сплля - растворитель алмазного Пример углерода порошка, мкм 4 Алмазный порошок, пропитанный в ваккумо при 692 К Ге • Nl-Co 1773 К 400/315 Fc-Ni-C То же 5 400/315 50/40 Fe-Nl-C 50/40 Fe-N!-C Алмазный порошок, пропитанный никелем в ааккуме при 6 Прототип 7 Смесь алмазного порошка (3 вес.ч.) 40 Продолжение таблицы Пример Наличие включений Теплопроводность монокристаллов Термостойкость I монокристаллов, К ( 1 Нет алмаза, Вт(м • К) 1600-180С 1673 2 То же 1600-1800 1773 3 -" 1600-1800 1673 Л -" 1600-1800 1673 5 -" 1600-1800 1773 6 8-10 включений 1300-1400 1473 7 26-30 включений 1000-1300 1373 Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я ритспе углерода в условиях синтеза. 2 Способ по п.1, отличающийся 1. СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИтем, что металл берут из группы, вклюСТАЛЛОВ АЛМАЗА путем В03ДЄЙСТ8ИЯ чающей медь, олоео. цинк, никель, а высокого давления и температуры на источник углерода на основе алмазных 10 сплав - из іруппьі, включающей железоникель, железо-алюминий, медь-олово. зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающий3 Способ по пп.1 и 2. отличающийся тем, что, с целью повышения теплося тем. что в качестве растворителя угпроводности и термостойкости лерода используют сплав из группы монокристаллоп алмаза, EI качеств;; ис- 15 включающей железо-никель-углсрод, жеточника углерода используют алмазные лезо-алюминий, никель-марганец-углерод, зерна размером не менее 100 мкм, железо-никель-кобальт, железо-марганецпредварительно пропитанные металлом углерод. или сплавом, растворяющимся в раство 1655080 Редактор С.Кулакова Заказ 792 Составитель Л.Романцева Техред М.Моргентал Корректор А.Коэориз Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюProcess for the synthesis of diamond monocrystals
Автори англійськоюBilousov Ihor Sviatoslavovych, Vitiuk Viktor Ivanovych, Zanevskyi Oleh Oleksiiovych, Ivakhnenko Serhii Oleksiiovych, Chipenko Heorhii Volodymyrovych
Назва патенту російськоюСпособ синтеза монокристаллов алмаза
Автори російськоюБелоусов Игорь Святославович, Витюк Виктор Иванович, Заневский Олег Алексеевич, Ивахненко Сергей Алексеевич, Чипенко Георгий Владимирович
МПК / Мітки
МПК: C01B 31/06
Мітки: монокристалів, синтезу, спосіб, алмазу
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-1372-sposib-sintezu-monokristaliv-almazu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб синтезу монокристалів алмазу</a>
Попередній патент: Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці
Наступний патент: Устаткування для розбирання пресових з’єднань
Випадковий патент: Оболонка з плівки та багатолезовий ніж для її виготовлення