Симістор

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов, более конк ретно к симметричным тиристорам. Цель изобретения - обеспечение уп 00 ^ ГО р Ї* равления напряжением переключения в любом направлении током одного порядка, а также повышение динамических параметров и рабочей температуры. Сущность изобретения состоит в ограничении участка нижнего п-эмиттерного слоя, расположенного под областью управления, размерами п-области управления при обязательном введении шунтировки указанных участка п-эмиттерного слоя и п~областн упранления. Изобретение позволяет при обеспечении управляемости симистора во всех четырех квадрантах током одного порядка улучшить коммутационные характеристики прибора за счет удаления (ограничения) участка п-эмиттерного слоя из-под р-области управления. 4 з. п. ф-лы, 2 ил. d К) 00 1373218 Изобретение относится к области контипа проводимости с контактом 8 к области струирования полупроводниковых прибоуправления Нижний п-эмиттерный слой 4 ров, в частности симметри1 ных тиристоров, содержит участок 9. который проекционно используемых в качестве переключателей связан и повторяет Форму п-области 7 упnepjMGHHoro тока 5 равления Для обеспечения эффективного включения симистора в обратном направлеЦель изобретения - обеспечение управнии положительным сигналом управления в ления напряжением переключения в любом п-области 7 управления предусмотрены направлении током одного порядка и повышунты 10, а для включения е прямом нашение динамических параметров и рабочей температуры. Ю правлении отрицательным сигналом управ* ления в участке 9 нижнего п-эмиттерного На фиг, 1 и 2 показаны фрагменты топослоя 4 имеются шунты 11 Ограничение учалогии верхней (фиг. 1) и нижней (фиг 2) постка 9 нижнего n-эмиттер'ого слоя п-облаверхностей n-p-n-p-п-структуры симистора. стью 7 управлений позволяет улучшить Симистор содержит верхние основные п-эмиттерный 1 и р-эмиттерный 2 слои и 15 коммутационные характеристики симистора за счет ослабления взаимовлияния вклюнижние основные р-эмиттерный 3 и п-эмитченной и выключенной частей структуры терный 4 слои с контактом 5 к ним. Область находящихся в пределах действия области управления содержит область б р-типа проуправления. \ водимости, которая охвачена областью 7 п20 Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я ближена к области управления до границы раздела р- и п-эмиттерных 1. СИМИСТОР, содержащий п-р-п-рп-структуру с контактами к основным п- 25 слоев, расположенных до нижней поверхности структуры. и р-эмиттерным слоям и к области уп3. Симистор по п.1, отличающийся равления, в котором проекции п-эмиттем, что центральный угол обхвата обтерных слоев на противоположных поласти р-типа управления областью п-тиверхностях структуры за пределами области управления не перекрываются, 30 па управления составляет 60 - 180'С. область р-типа управления* расположен4. Симистор по пп.1 и 3, отличаюная на верхней поверхности, охвачена щийся тем. что между областью управчастично областью п-типа управления, ления и контактом к основным п- и проекция которой попадает на п-эмитр-эмиттерным слоям на различных рас.терный слой, расположенный на нижней 35 стояниях от центра расположены два поверхности, отличающийся тем, что, с вспомогательных участка п-типа в виде целью управления напряжением переполуколец, при этом п-эмиттерный слой, ключения в любом направлении током расположенный на нижней поверхности, содержит участок, проекционно связанодного порядка, повышения динамиче40 ный и повторяющий форму вспомогаских параметров и рабочей температутельного участка п-типа, ры, часть п-змиттерного слоя, располорасположенного на верхней поверхности женная на нижней поверхности под со стороны основного р-эмиттерного областью управления, проекционно связана и повторяет форму области п-типа 45 слоя. управления и соединена через участок 5. Симистор по п.1, отличающийся п-типа с основным n-эмиттерным слоем. тем, что области п-типа управления и 2. Симистор по п,1, отличающийся часть n-эмиттерного слоя, расположентем, что часть контакта, расположенная ная над ней, снабжены распределенной на верхней поверхности над п-эмиттер- 50 шунтировкой. ным слоем нижней поверхности, при 1373248 Фиг;1 Фиг. 2 Редактор Т. Юрчиковэ Заказ 1618 Составитель С. Асина . Техред М.Моргентал Корректор л ф и л ь Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента 113035. Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101