Квазіоптичний діелектрометр
Номер патенту: 4983
Опубліковано: 15.02.2005
Автори: Черпак Микола Тимофійович, Лавринович Олександр Антонович, Смирнова Тамара Олександрівна
Формула / Реферат
1. Квазіоптичний діелектрометр, що містить вимірювальний діелектричний резонатор, виконаний у вигляді диска з радіальною щілиною, надвисокочастотний генератор для збудження хвиль типу шепочучої галереї та приймач, який відрізняється тим, що у радіальній щілині розташовано відбивач у вигляді пластини із провідного матеріалу, а на відстані 
(де - довжина хвилі шепочучої галереї у резонаторі) від бокової поверхні резонатора є отвір для розміщення у ньому ємності з досліджуваною речовиною.
2. Квазіоптичний діелектрометр за п. 1, який відрізняється тим, що ємність виконана з можливістю переміщення досліджуваної речовини.
Текст
1. Квазіоптичний діелектрометр, що містить вимірювальний діелектричний резонатор, виконаний у вигляді диска з радіальною щілиною, надви Корисна модель, що пропонується, відноситься до вимірювальної техніки надвисоких частот (НВЧ) в галузі мікрохвильової техніки для визначення комплексної діелектричної проникності та може знайти застосування у таких галузях народного господарства, де діелектрична проникність твердих, порошкоподібних та рідких речовин або розчинів обумовлює їх якість, чи можливість використання у різноманітних пристроях. Знання дійсної є' та уявної є" частин діелектричної проникності є=є'+іє" досліджуваної речовини дає можливість визначити габаритні розміри розроблюваних пристроїв, прогнозувати їх чутливість та частотний діапазон використання. Важливим параметром діелектрометра є об'єм речовини необхідний для вимірювання дійсної та уявної частин діелектричної проникності, а також для визначення динаміки вказаних величин в залежності від частоти, тиску, температури або зміни властивостей досліджуваної речовини, наприклад, при дослідженні потоку рідини чи сипучої речовини. Мінімальна кількість необхідної для дослідження речовини може бути вагомим фактором в біологічних та медичних дослідженнях. Відомо, що для дослідження матеріалів з діелектричною проникністю є'=1-100 та тангенсом діелектричних втрат tg5=(e"/e')
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюQuasi-optical permittivity meter
Автори англійськоюLavrynovych Oleksandr Antonovych, Cherpak Mykola Tymofiiovych
Назва патенту російськоюКвазиоптический измеритель диэлектрической проницаемости
Автори російськоюЛавринович Александр Антонович, Черпак Николай Тимофеевич
МПК / Мітки
МПК: G01N 22/00, G01R 27/26
Мітки: діелектрометр, квазіоптичний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-4983-kvazioptichnijj-dielektrometr.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Квазіоптичний діелектрометр</a>
Квазіоптичний діелектрометр
Номер патенту: 59568
Опубліковано: 15.09.2003
Автори: Баранник Олександр Анатольович, Філіпов Юрій Федорович, Прокопенко Юрій Володимирович, Смирнова Тамара Олександрівна, Черпак Микола Тимофійович
МПК: G01R 27/26
Мітки: діелектрометр, квазіоптичний
Формула / Реферат:
1. Квазіоптичний діелектрометр, що містить вимірювальний діелектричний резонатор, з’єднаний з надвисокочастотним генератором для збудження хвиль типу "шепочучої галереї" та приймачем, який відрізняється тим, що у резонаторі утворена канавка з концентричними боковими поверхнями шириною α0,5R на відстані bλ від бокової поверхні резонатора (де R - радіус резонатора, λ - довжина хвилі "шепочучої галереї"), а...
Пристрій для вимірювання комплексної діелектричної проникності речовини
Номер патенту: 67238
Опубліковано: 15.06.2004
Автори: Вічкань Олексій Валерійович, Мельяновський Павло Опанасович
МПК: G01R 27/26
Мітки: комплексної, проникності, речовини, діелектричної, вимірювання, пристрій
Формула / Реферат:
Пристрій для вимірювання комплексної діелектричної проникності речовини, який містить високочастотний керований генератор, паралельний коливальний контур, в якому розташована ємнісна вимірювальна комірка, пристрій керування частотою генератора, вихід якого підключений до керуючого входу високочастотного генератора, вимірювач фазових зсувів, частотомір, обчислювач, перший вхід якого підключений до входу пристрою керування частотою генератора,...
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію
Номер патенту: 58009
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: H01B 3/12
Мітки: барію, матеріал, титанату, основі, надвисокочастотний, самарію, діелектричний
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію, що включає ВаО, Sm2O3 і ТiO2, який відрізняється тим, що для зменшення діелектричних втрат і покращення термостабільності діелектричної проникності за рахунок впливу на характер розподілу іонів складної катіонної підгратки титанату барію самарію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-уCaу)6-xSm8+2x/3Ti18O54, при 0
Спосіб визначення сферичності діелектричних резонаторів та пристрій для його здійснення
Номер патенту: 71116
Опубліковано: 15.11.2004
Автори: Кириченко Олександр Якович, Солодовник Василь Андрійович, Кутузов Володимир Володимирович, Прокопенко Юрій Володимирович, Когут Олександр Євгенович, Смирнова Тамара Олександрівна
МПК: G01B 5/20
Мітки: спосіб, діелектричних, пристрій, визначення, сферичності, резонаторів, здійснення
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення сферичності діелектричних резонаторів, що включає утворення хвиль типу "шепочучої галереї" у досліджуваному резонаторі та їх реєстрацію, який відрізняється тим, що джерело збудження хвиль переміщують по азимутальній координаті вздовж сфероїдальної поверхні резонатора та при цьому фіксують частоту резонансного відгуку вимушених коливань.2. Пристрій для визначення сферичності діелектричних резонаторів, що...
Спосіб визначення оптичних параметрів поверхні твердих тіл
Номер патенту: 40115
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Завадський Сергій Миколайович, Венгер Євгеній Федорович, Буршта Ігор Іосифович
МПК: G01N 21/00
Мітки: спосіб, параметрів, тіл, твердих, поверхні, визначення, оптичних
Формула / Реферат:
Спосіб визначення оптичних параметрів поверхні твердих тіл, що включає встановлення зазору між поверхнею досліджуваного зразка і елементом порушеного повного внутрішнього відбивання, опромінення цієї поверхні р- і s-поляризованим електромагнітним випромінюванням через, елемент порушеного повного внутрішнього відбивання, вимірювання еліпсометричиих кутів y і D, і розвязування основного еліпсометричного рівняння...
Попередній патент: Регенеративний патрон ізолюючого дихального апарата
Наступний патент: Пристрій для захисту від літаючих комах
Випадковий патент: Спосіб засолу овочів і кавунів