Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 58009

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію, що включає ВаО, Sm2O3 і ТiO2, який відрізняється тим, що для зменшення діелектричних втрат і покращення термостабільності діелектричної проникності за рахунок впливу на характер розподілу іонів складної катіонної підгратки титанату барію самарію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-уCaу)6-xSm8+2x/3Ti18O54, при 0x1,5 і 0,1у0,3, додатково містить оксид кальцію (СаО) при такому співвідношенні компонентів (мас. %):

ВаО

15,5 – 18,0

ТiO2

39,5 – 42,0

Sm2O3

40,5 – 42,0

СаО

0,2 – 2,2.

Текст

Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію, що включає BaO, Sm2O3 і ТЮ2, який відрізняється тим, що для зменшення діелектричних втрат і покращення термостабільності діелектричної проникності за рахунок впливу на характер розподілу ІОНІВ склад Винахід відноситься до розробки надвисокочастотних (НВЧ) діелектриків і може бути використаний при виготовленні фільтруючих та генеруючих елементів для пристроїв техніки зв'язку, що працюють в діапазоні ЗО - 2000МГц НВЧ діелектрики повинні характеризуватись високими значеннями діелектричної проникності (s-80-ЮО), низькими діелектричними втратами (tg 5юггц ~ 10 3 ) і високою термостабільністю електрофізичних властивостей (ТКЧ ~ 1 0 6 К 1 ) в НВЧ діапазоні [1] Використання таких діелектриків при розробці елементної бази фільтруючих пристроїв дозволить зменшити розміри компонентів апаратури НВЧ зв'язку, підвищити и надійність, знизити виробничі і експлуатаційні затрати До складу відомих НВЧ діелектриків на основі титанатів барію лантану входять ВаО, І_а2Оз і ТЮ2 які утворюють тверді розчини типу Ває хІ_а8+2х/зТїі8054 - аналог [2] Недоліком таких матеріалів є значні діелектричні втрати в НВЧ діапазоні і висока температурна нестабільність електрофізичних властивостей (ТКЧ »10 6 К~ 1 ) Найбільш близьким по технічній суті і досягнутим результатам до винаходу, який заявляється, є НВЧ діелектричні матеріали на основі титанатів барію самарію (прототип), які відносяться до твердих розчинів типу ВабхЗгті8+2х/зТіі8О54 [3, 4] На Фіг 1 і Фіг 2 ВІДПОВІДНО приведені температурні залежності діелектричної проникності (s)- (1-5), і тангенса кута діелектричних втрат (tg 5= 1/Q) (1'-5') ної катіонної підгратки титанату барію самарію в області ХІМІЧНИХ складів, що відповідає формулі (Ваі yCay)6xSm8+2x/3Tii8O54, при 0

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Microwave dielectric material based on barium and samarium titanates

Автори англійською

Bilous Anatolii Hryhorovych

Назва патенту російською

Сверхвысокочастотный диэлектрический материал на основе титанатов бария и самария

Автори російською

Белоус Анатолий Григорьевич

МПК / Мітки

МПК: H01B 3/12

Мітки: надвисокочастотний, основі, матеріал, барію, самарію, титанату, діелектричний

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/3-58009-nadvisokochastotnijj-dielektrichnijj-material-na-osnovi-titanatu-bariyu-samariyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію</a>

Подібні патенти