Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Шихта для синтеза монокристаллов алмаза, включающая кристаллическую фазу из гексагональной и ромбоэдрической модификации графита и металлический катализатор, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода алмаза, она содержит кристаллическую фазу при массовом со­отношении в ней гексагональной и ромбоэдриче­ской модификации графита 70-90:10-30 и дополнительно графит гексагональной модифика­ции при следующем соотношении составляющих компонентов, мас.%:

кристаллическая фаза из гексагональной и

ромбоэд­рической модификации графита                      5 - 25

графит гексагональной модификации                          20 - 50

металлический катализатор                                         остальное

Текст

Изобретение относится к производству алмаза. Цель изобретения НИЯ повышение выхода алмаза. Готовят смесь из порошков гексагональной модификации графита, катализатора и гексагональной кодификации графи-1 та, содержащей 10 мас.% ромбоэдрической модификации, в массовом отношении 20:75:5, размещают смесь в камеру высокого давления и выдерживают при 4,3 ГПа, 1250 С в течение 2 мин. Из продуктов синтеза извлекают алмаз в количестве 45% от массы графита, который представляет собой монокристаллы размером от - 40 до 250 мкм и прочностью 17,2 Н, 3 табл. СО ЭО 12-88 f 13854*8 по насыпной массе с применением мерИзобретение относится к полученого цилиндра по ГОСТ 1770-74 и мению сверхтвердых материалов, в част^ тодики по ОСТ 2МТ79-2-75. ности монокристаллов алмаза, которые Во всех опытах по синтезу мономогут быть преимущественно исполькристаллов алмаза насыпная масса позованы в инструменте для обработки рошков графитов составляла для мастекла и в часовой промышленности. рок, г/см3: ГМЗ-ОСЧ-7-3 0,80-0,83; Целью изобретения является повыСЗ 0,72-0,74; ГСМ 2 0,55-0,70. шение выхода алмаза. Как следует из данных таблиц, П р и м е р . Готовят смесь из 10 предлагаемая шихта позволяет повыпорошков гексагонального графита сить степень превращения графита в марки ГМЗ-ОСЧ-7-3 (20 мас.%), граалмаз при синтезе монокристаллов фита ГСМ-1 (5 мас.%), содержащего алмаза в 1,1-1,8 раза. При этом гексагональную модификацию и 10 мас.% обеспечивается высокая производительромбоэдрической модификации и 15 ность и эффективность использования 75 мас.% металлического катализаприменяемого для синтеза алмазов тора - сплава никеля с марганцем. оборудования, Полученные монокрисСмесь в количестве 40 г переметчиваталлы размером 40-200 мкм имеют ют в смесителе в течение 1 ч. Раз- * прочность на сжатие, превышающую нормещают смесь в контейнер аппарата 20 мативную прочность алмазов марки высокого давления и подвергают возАСІ 5 по ГОСТ 9206-80 и прочность действию при 4,3±0,1 МПа и темпеалмазов, полученных с использованиратуре 1250*20° С в течение 2 мин. ем известной шихты, и могут найти Затем температуру и давление снижают, извлекают из камеры продукт син- 25 широкое применение при различных операциях обработки стекла, а также теза, подвергают его дроблению и в часовой промышленности. Кроме тохимической обработке. За рабочий го , применение сравнительно невысоцикл получают 4,5 г монокристаллов ких давлений - порядка 4,3 ГПа даалмаза, что соответствует степени ет возможность изготавливать рабочие превращения графита в алмаз 45,0 мас.% •30 элементы аппарата высокого давления В табл. 1 представлены примеры и высокой температуры из закаленных составов шихты по изобретению и сталей. степень превращения ее в алмаз; в табл. 2 - фракционный состав алмазных порошков по изобретению; в Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я табл. З ~ данные по прочности моно- 35 кристаллов ^алмаза полученных из Шихта для синтеза монокристаллов шихты по изобретению в соответствии агсмаза, включающая кристаллическую с нормативной прочностью» фазу из гексагональной и ромбоэдрической модификации графита и металГрафит с различным содержанием 40 лический катализатор, о т л и ч а ромбоэдрической модификации получен ю щ а я с я тем, что, с целью повыпутем деформации его частиц. шения выхода алмаза, она содержит Определение содержания указанной кристаллическую фазу при массовом модификации проводилось по соотношесоотношении в ней гексагональной и нию интенсивности рентгеновских 45 ромбоэдрической модификации графита дифракционных линий (102) и (103) 70-90:10-30 и дополнительно графит гексагонального графита и (101)р и гексагональной модификации при сле(012)р ромбоэдрического графита. дующем соотношении составляющих компонентов, мас.%: Дифрактограммы образцов графита Кристаллическая снимались на дифрактометре ДРОН-2,0 50 фаза из г е к с а г о в фильтрованном излучении медного нальной и ромбоэданода в интервале углов 4-150 . рической модификации Для опытов по синтезу алмазов графита 5-25 применены графиты различных марок 55 с размерами частиц менее 250 мкм. Графит гексагональФракционный состав графитовых порошной модификации 20-50 ков в различных опытах для сопостаМеталлический к а т а вимости результатов контролировался лизатор Остальное 1385448 Т а б л и ц а і п/п Состав шихты для синтеза монокристаллов алмаза Графит гексагональной модификации марка содержание в шихте, мас.% _ ГМЗ-ОСЧ-7-3 Графит, содержащий ромбоэдрическую модификацию содер- содержание жание в ших- ромботе, эдримас.% ческой модификации, мас.% 5 10 50 25 3 20 4 24 5 20 6 марка ГСМ-1 растворитель углерода, мае ,7, Степень превращения графита в алмаз, мае. % 75 45,0 10 25 40,2 5 30 75 48,2 16 15 60 42,1 25 10 55 29,7 50 5 10 45 31,9 7 50 5 30 45 34,5 8 30 20 12 50 33,8 9' 20 5 10 75 29,4 10 50 25 10 25 27,0 11 25 20 20 55 30,4 12 ^ 20 25 10 55 29,1 13 50 5 30 45 28,2 14 20 20 26 60 34,1 15 20 5 Следы 75 24,5 16 20 25 35 55 24,1 17 20 3 15 77 24,7 18 40 3,5 60 23,1 19 40 15 60 24,2 Ї 20 2 СЗ ГСМ-1 То же • СЗ ГСМ-2 ГСМ-1 ГСМ-2 ГСМ-2 1 385A48 Т а б л и ц а Обозначение 2 Содержание монокристаллических алмазов, мас.% ІІГ£ЕЇЇЇЇЇЇ 250/200 2 2 1 2 12 13 1А I 200/160 1 А 160/125 5 5 6 125/100 9 8 10 1А 100/80 12 13 15 19 22 80/63 17 20 23 20 63/50 21 50/АО -40 7 I I 9 А Э 10 8 16 24 1 • * 1 1 1 1 5 1 А 6 5 * 10 5 8 10 16 6 19 22 11 10 13 І1 П 13 17 17 19 17 15 16 18 17 22 18 16 12 12 15 2А 22 20 23 21 18 18 16 11 10 10 8 17 15 12 9 21 15 9 19 20 20 15 8 5 20 2А 21 23. 16 20 18 15 Т а б л и ц а Обозначение зернистости Прочность на сжатие монокристаллов алмаза (Н) 1 250/200 — 200/160 15,2 160/125 2 6 10 7 11 12 Нормативная прочность алмазов марки АС 15 по ГОСТ 9206-30 (Н) не менее 17,2 17, 1 *• 15,А 15,5 15, 1 _ 15,2 15,1 16,1 13,2 13,1 13,1 13, 0 13,0 13,9 13,1 13,0 125/100 11,2 11,1 11,0 10, 9 11,1 11,1 1 1,0 10,8 100/80 9,9 9,9 9,9 9,8 10,0 10,0 10,0 9,7 80/63 9,7 9,5 9,А 9,3 9,5 9,9 8,9 8,6 63/50 10,0 9,9 9,2 8,8 9,1 10,1 8,2 7,6 50/АО 10,2 10,0 9,А 9,0 9,3 10,0 7,3 6,5 вииипи Заказ 155/ДСП Тираж 302 3 *• Подписное Произв.-полигр. np-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, А 17,3

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Furnace-charge for diamond monocrystals synthesis

Автори англійською

Borymskyi Oleksandr Ivanovych, Nahornyi Petro Arseniiovych, Hetman Anatolii Fedorovych

Назва патенту російською

Шихта для синтеза монокристаллов алмаза

Автори російською

Боримский Александр Иванович, Нагорный Петр Арсеньевич, Гетман Анатолий Федорович

МПК / Мітки

МПК: C01B 31/06

Мітки: монокристалів, синтеза, шихта, алмазу

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-5088-shikhta-dlya-sinteza-monokristaliv-almazu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Шихта для синтеза монокристалів алмазу</a>

Подібні патенти