Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Верстат для обточування кристалів, що містить розташовані на його нерухомій основі бабки з приводом обертання кристала-виробу, супорт, розташований на платформі і оснащений окремими приводами переміщення кристала-різця, підключеними до розподільника частот струму, який відрізняється тим, що платформа розташована на двох і більше штангах з можливістю її коливання з різними амплітудами в різних напрямках, причому кінці штанг оснащені шарнірами, які з одного боку зв'язані з платформою, а з протилежного - з нерухомою основою верстата.

2. Верстат за п. 1, який відрізняється тим, що платформа розташована з одного боку на двох штангах змінної довжини, що утворюють біпод, а з протилежного боку оснащена віссю коливання, з можливістю її поступального руху вздовж осей передньої і задньої бабок.

3. Верстат за п. 1, який відрізняється тим, що платформа розташована на трьох штангах змінної довжини, що утворюють трипод.

4. Верстат за п. 1, який відрізняється тим, що платформа розташована на штангах постійної довжини, протилежні кінці яких відносно платформи через шарніри зв'язані з повзунами поступального переміщення по напрямних від окремих приводів, причому штанги попарно утворюють біглайди.

Текст

1. Верстат для обточування кристалів, що містить розташовані на його нерухомій основі бабки з приводом обертання кристала-виробу, супорт, розташований на платформі і оснащений окремими приводами переміщення кристала-різця, підключеними до розподільника частот струму, який відрізняється тим, що платформа розташована на двох і більше штангах з можливістю її коливан U 1 3 на якій розташований супорт, що потребує розбирання супорту і зміни положення вісі його коливання, що збільшує час і трудомісткість обточування кристалів; по-третє, неможливість регулювання амплітуди коливань алмаза-різця, що потребує додаткового ексцентрикового кулачка і обмежує можливості утворення різних форм осцилюючих рухів. В основу корисної моделі поставлена задача удосконалення верстата для обточування кристалів шляхом розташування платформи на двох і більше штангах з можливістю коливання з різними амплітудами і в різних напрямках, що дозволяє досягнути технічний результат-розширення технологічних можливостей і підвищення продуктивності обробки. Розв'язання задачі досягається тим, що верстат для обточування кристалів, що містить розташовані на його нерухомій основі, передню і задню бабки з приводами обертання кристала-виробу, супорт, розташований на платформі і оснащений окремими приводами переміщення кристала-різця, підключеними до розподільника частот струму, згідно корисної моделі, платформа розташована на двох і більше штангах з можливістю коливання в різних напрямках і з різними амплітудами. За рахунок зміни довжини штанг або положення їх кінців досягаються різні осцилюючі рухи по формі і величині їх амплітуд. Завдяки цьому досягається розширення технологічних можливостей, зменшення часу і трудомісткості обробки. Можливі різні варіанти реалізації формоутворюючих і осцилюючих рухів за рахунок кількості і конструктивного виконання штанг і шарнірних з'єднань. Суть корисної моделі пояснюється кресленнями, де зображено на: Фіг.1 - принципова кінематична схема верстата з віссю коливання супорта і двома штангами змінної довжини типу біпод; Фіг.2 - варіант принципової кінематичної схеми верстата з рухомим супортом у вигляді платформи на трьох штангах змінної довжини типу трипод; Фіг.3 - варіант принципової кінематичної схеми верстата з рухомим супортом у вигляді платформи на штангах постійної довжини. Верстат містить передню 1 (Фіг.1) і задню 2 бабки з пристроями для закріплення на Фіг.1 не показані кристала-виробу і приводи обертання шпинделів через пасові зубчасті передачі 3 і 4 від проміжного валу 5, який за допомогою пасової передачі 6 зв'язаний з електродвигуном 7 (М1). Верстат має також встановлений з можливістю коливання супорт 8 з тримачем 9 кристала-різця 10. Супорт 8 розташований на платформі 11 і має мікро подачі в напрямку, перпендикулярному вісям передньої і задньої бабок, від крокового електродвигуна 12 (М2) через передачу гвинт-гайка 13 по кульковим напрямним 14. Платформа 11 з одного боку тримається на двох штангах 15 і 16 змінної довжини відповідно L1 і L2. Штанги 15 і 16 оснащені шарнірами 17 і 18, які з'єднують штанги 15 і 16 з одного боку з платформою 11 і шарнірами 19 і 20, які з'єднують штанги з другого боку з основою 21 верстата. З протилежного боку від штанг 15 і 16 розташована вісь 51386 4 коливання 22 з можливістю її поступального руху вздовж вісей передньої 1 і задньої 2 бабок. Зміна довжини штанг 15 і 16 здійснюється від розподільника частот струму системи ЧПК верстата (на Фіг.1 не показано). Робота верстата здійснюється наступним чином. Кристал-виріб закріплюється між шпинделями передньої 1 і задньої 2 бабок. При вмиканні електродвигуна 7 кристал-виріб отримує обертальний рух навколо вісі центрів верстата. Установчим рухом згідно управляючої програми від ЧПК, яка у вигляді імпульсів діє на кроковий електродвигун 12 (М2), кристал-різець 10 вводиться в контакт з кристалом-виробом, що обертається. Цей контакт контролюється спеціальним пристроєм активного контролю (на Фіг.1 не показаний). Далі починаються осцилюючі рухи платформи 11, форма і амплітуда яких залежить від стадії знімання припуску кристала-виробу [Кузнецов Ю.Н., Чиж Е.Л. Функциональные зависимости съема сырья при круглой обточке кристаллов природного алмаза // Алмазы и сверхтвердые материалы, 1976, №11.с.16-18]. Ці рухи забезпечуються системою ЧПК верстата, а чергова подача кристала-різця 10 від електродвигуна 12 здійснюється в той момент, коли платформа 11 з супортом 8 знаходиться в одному, або кожному з крайніх осьових повздовжніх положень, тобто коли немає безпосереднього контакту кристала-різця 10 з кристалом-виробу. Це забезпечує сприятливі умови врізання кристаларізця 10 в кристал-виріб, виключається можливість розколювання кристалів в момент радіального переміщення при контакті з кристалом-виробом, що обертається на великій швидкості. При досягненні заданого розміру обточування кристала діаметр якого в діамантовій промисловості називають рундистом і який контролюється спеціальним пристроєм активного контролю, дається команда на зупинку шпинделів і відведення супорта у вихідне положення. Запропоновані альтернативні варіанти виконання осцилюючих рухів платформи із супортом (Фіг.2 і 3). У варіанті, зображеному на Фіг.2, вісь коливання 22 (Фіг.1) замінена третьою штангою 23 (Фіг.2) із змінною довжиною L3. В цій штанзі шарнір 24 зв'язаний з платформою 11, а шарнір 25 - з основою 21. Зміна довжини штанг 15, 16, 23, що утворюють трипод [Кузнецов Ю.М., Дмитрієв Д.О., Діневич Г.Ю. Компоновки верстатів з механізмами паралельної структури. Під ред. Ю.М.Кузнецова. Херсон: ПП Вишемирський B.C., 2009. –456с. (табл.3.1, стор.133-135)] здійснюється від системи ЧПК верстата (на Фіг.2 не показано). У варіанті, зображеному на Фіг.3, платформа 11 розташована на штангах 26, 27, 28, 20 постійної довжини відповідно L1, L2 , L3, L4, причому бажано, щоб L1=L2=L3=L4. Кількість штанг постійної довжини обирається із умови їх структурнокінематичного функціонування, тому при необхідності їх кількість може збільшуватися. Кожна штанга на кінцях оснащена шарнірами відповідно 30 і 31, 32 і 33, 34 і 35, 36 і 37, причому шарніри 30, 32, 34, 36 зв'язані з платформою 11, а 5 шарніри 31, 33, 35, 37 з повзунами відповідно 38, 39, 40, 41, які отримують переміщення від крокових електродвигунів 42 (М3), 43 (М4), 44 (М5), 45 (М6), через кульково-гвинтові передачі відповідно 46, 47, 48, 49 по напрямним 50, 51, 52, 53. Зміна положення повзунів 38-41, які забезпечують різні осцилюючі рухи, а попарно утворюють біглайди, здійснюється від системи ЧПК верстата (на Фіг.3 не показана). Застосування шарнірних з'єднань платформи із супортом, на якій розташовано кристал-різець 51386 6 10 з двома і більше штангами змінної або постійної довжини дозволяє забезпечити відповідні умовам обробки осцилюючі рухи різної форми і значенням амплітуди для кристалу-різця у поперечному і поздовжньому напрямках завдяки узгодженій програмно-керованій зміні довжини штанг або положень їх протилежних кінців на напрямних верстату, таким чином розширюються технологічні можливості і підвищується продуктивність при обточуванні кристалів. 7 Комп’ютерна верстка Н. Лиcенко 51386 8 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Lathe for turning crystals

Автори англійською

Kuznetsov Yurii Mykolaiovych, Huminov Valentyn Valeriiovych, Dmytriev Dmytro Oleksiiovych, Hrabovets Ihor Volodymyrovych, Yakushko Ihor Serhiiovych

Назва патенту російською

Станок для обточки кристаллов

Автори російською

Кузнецов Юрий Николаевич, Гуминов Валентин Валерьевич, Дмитриев Дмитрий Алексеевич, Грабовец Игорь Владимирович, Якушко Игорь Сергеевич

МПК / Мітки

МПК: B23B 3/00, B28D 5/00

Мітки: кристалів, обточування, верстат

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-51386-verstat-dlya-obtochuvannya-kristaliv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Верстат для обточування кристалів</a>

Подібні патенти