Сорбційноактивний матеріал покриття для п’єзоелектричних мас-чутливих датчиків на амоніак
Номер патенту: 62182
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Філіппов Олексій Павлинович, Демешко Сергій Вікторович, Гребенніков Володимир Миколайович, Погоріла Лідія Михайлівна, ФЕДОРЕНКО МАЙЯ АЛЬБЕРТІВНА, Бурлаєнко Наталія Андріївна, Манорик Петро Андрійович
Формула / Реферат
Сорбційно активний матеріал покриття для п'єзоелектричних мас-чутливих датчиків на амоніак на основі координаційної сполуки 3d-перехідного металу як чутливої речовини, який відрізняється тим, що він містить як основу натрієву сіль різнолігандної гетероядерної координаційної сполуки міді і цинку з етилендіамінтетраоцтовою кислотою та з лимонною кислотою загальної емпіричної формули Na4(H6Cu Zn (Edta)2 (Citr)2].7Н2О, де Edta - аніон етилендіамінтетраоцтової кислоти, Citr - аніон лимонної кислоти, і додатково містить як матрицю для цієї солі дисперсний кремнезем з розвиненою поверхнею, причому співвідношення солі і матриці у матеріалі вибране в діапазоні від 1,3.10-4 до 1,2.10-3 моль/грам.
Текст
Сорбційно активний матеріал покриття для п'єзоелектричних мас-чутливих датчиків на амоніак на основі координаційної сполуки 3dперехідного металу як чутливої речовини, який відрізняється тим, що він містить як основу натрієву сіль різнолігандної гетероядерної координаційної сполуки МІДІ і цинку з етилендіамінтетраоцтовою кислотою та з лимонною кислотою загальної емпіричної формули ІЧа^НєСи Zn (Edta)2 (Citr)2] 7H2O, де Edta - аніон етилендіамштетраоцтової кислоти, Citr - аніон лимонної кислоти, і додатково містить як матрицю для цієї солі дисперсний кремнезем з розвиненою поверхнею, причому співвідношення солі і матриці у матеріалі вибране в діапазоні від 1,310 4 до 1,2 10 3 моль/грам Винахід відноситься до складу і структури сполук і матеріалів, що у твердому стані у вигляді тонких шарів використовують як сорбційноактивні покриття п'єзоелектричних (переважно п'єзокварцових) мас-чутливих датчиків на амоніак Датчики з таким покриттям можуть бути переважно використані у приладах-газоаналізаторах для експрес-визначення вмісту амоніаку у виробничих приміщеннях підприємств, де зберігають або використовують у технологічних процесах цю речовину, а також у приладах-течовідшукувачах, призначених для швидкої діагностики технічного стану трубопроводів і резервуарів різноманітних конструкцій, які заповнені амоніаком Амоніак широко використовують у техніці як охолоджуючий агент для різноманітних систем і агрегатів, починаючи з порівняно простих за конструкцією загальнопромислових холодильних агрегатів і закінчуючи конструкційне складними системами терморегулювання космічних апаратів (див , наприклад Технология сборки и испытаний кос мических аппаратов // Под ред И Т Белякова и И А Зернова М - Машиностроение, 1990, с 163) Зрозуміло, що витоки амоніаку крізь випадково розгерметизовані в процесах випробувань або експлуатації стінки і рознімні з'єднання таких систем і агрегатів здатні призвести як до отруєння обслуговуючого персоналу (гранично допустима концентрація (ГДК) амоніаку для промислової зони становить лише 20мг/м3, ГОСТ 12 1 005-88 Общие санитарно-гигиенические требования к воздуху рабочей зоны), так і до виходу з ладу над відповідальної техніки Тому діагностика початкових стадій розгерметизації конструкцій, які заповнені амоніаком, і упередження аварійних витоків цього охолоджуючого агенту внаслідок подальшої неконтрольованої розгерметизації конструкцій є актуальною задачею Зважаючи на вищезгадане, прилад ианалізатори амоніаку, прилади-течовідшукувачі місць його витоків і, ВІДПОВІДНО, п'єзоелектричні датчики на амоніак, якими оснащені ці прилади, 00 (О 62182 повинні забезпечувати виконання декількох умов, швидкості зротності початкових характеристик до найважливіших з яких відносяться після припинення дії на датчики амоніаку Крім - висока швидкість реагування на появу та змітого, для багатьох датчиків з такими відомими пону з часом концентрації амоніаку у середовищі, що криттями взагалі неможливо повністю відтворити аналізують, їх початкові характеристики після контакту з амо- висока чутливість до концентрацій амоніаку ніаком (див там же) на рівні ГДК, Найбільш близьким за технічною суттю до за- селективність визначення амоніаку за умов, пропонованого є покриття для п'єзоелектричних коли у середовищі, що аналізують, присутні стодатчиків на амоніак у вигляді комплексу 3dронні компоненти, які за здатністю до сорбування перехідного металу, що вибраний з групи мідь, покриттями датчиків конкурують з амоніаком, нікель, кобальт і цинк з симетричною основою Шиффа - г\І,г\Г-етиленбіс-саліцилальд-імінатом, - швидка і повна зворотність початкових хараг\І,г\Г-пропиленбіс-саліцилальдімінатом або N,N'ктеристик приладів після припинення дії на датчик феніленбіс-саліцилальдімінатом (див SU Patent амоніаку, 1873957 С1) - довгострокове збереження працездатності датчиків за конкретних умов експлуатації Використання цих координаційних сполук як хемособційних покриттів для п'єзоелектричних Роздільне виконання деяких з цих умов або датчиків забезпечує порівняно високу чутливість деяких їх комбінацій шляхом цілеспрямованого датчиків до амоніаку (див, наприклад, використання як покриттів п'єзоелектричних датЛ И Бударин, Н А Бурлаенко, Л М Погорелая Иссчиків речовин і матеріалів з певними фізиколедование взаимодействия дисалицилальХІМІЧНИМИ властивостями не представляє суттєвих моноэтаноламината меди (II) с аммиаком методом ускладнень пьезокварцевого микровзвешивания // Так, відносно високі чутливість доамоніаку і Укрхім журнал-1998-Т64- №2, С 78-81) швидкість реагування датчиків забезпечують використанням у якості їх покриттів різноманітних Однак час індикації амоніаку датчиками з таречовин кислотної природи, які здатні хемосорбукими відомими покриттями не менший за чотири вати амоніак з утворенням солей амонію (див , хвилини (для покриття у вигляді N.N'-етиленбіснаприклад, Бурлаенко НА , Бударин Л И , Покатасаліцилальдімшату 3d-nepexiflHoro металу), а для ев В Н , Погорелая Л М Химические пьезоэлектінших з числа цих відомих сполук - майже ще у рические сенсоры для контроля азотсодержащих 1,5-2 рази більший (див там же), що суттєво обгазов - Киев УкрНИИНТИ Госплана УССР, 1991) межує можливість використання таких датчиків для швидкого реагування на передаварійні ситуаОднак, суттєвим недоліком таких покриттів є ції, які супроводжуються витоками амоніаку Крім відсутність селективності по відношенню до амонітого, як свідчать результати досліджень твердих аку, що обумовлено універсальністю і неселективкомплексів 3d-nepexiflHHX металів з симетричними ністю кислотно-основного типу взаємодії речовин основами Шиффа, необхідною умовою протікання Тому датчики на амоніак з такими відомими похімічної реакції між цією координаційною сполукою криттями здатні реагувати на будь-який газ або і амоніаком є наявність у середовищі, яке аналізупару речовини, яким притаманні лужні властивосють, парів води (див Л И Бударин, Н А Бурлаенко, ті ВІДПОВІДНО, датчики з покриттями у вигляді реЛ М Погорелая Исследование взаимодействия човин кислотної природи мають доволі обмежений дисалицилальмоноэтанол-амината меди (П) с амресурс роботи миаком методом пьезокварцевого микровзвешиБільш високу селективність до амоніаку мають вания// Укр хім журнал- 1998-Т64- №2, С 78-81 покриття п'єзоелектричних датчиків у вигляді коабо Л I Бударш, Н А Бурлаенко, Л М Погоріла Виординаційних сполук d-перехідних металів, які завчення взаємодії ді-саліцилальмоноетаноламіната вдяки складу і просторовій будові здатні реагувати МІДІ (II) з водяною парою методом п'єзокварцового з амоніаком за реакціями типу "хозяїн-псть" (див , мікрозважування// ДОПОВІДІ НАН Украши-1997наприклад, Л П Маслов, С И Сорокин, №4, С 148-251) До того ж, як свідчить опис винаС А Крутоверцев Избирательность и чувствитеходу до SU Patent 1873957 С1, датчики на амоніак льность к аммиаку сенсоров, созданных на основе з відомими покриттями поступово втрачають стаполивалентных элементовбільність характеристик (приблизно на 1,6-2,7 % за комплексообразователей // Журн физ химии десять діб) 1994-Т 68 -№7, С 1323-1326, Л И Бударин, С В Крятов , М Погорелая Нитрилотриацетатные В основу винаходу покладена задача шляхом комплексы 3d-nepexoflHbix металлов как материаудосконалення складу і структури сорбційноактивлы для пьезоэлектрических сенсоров на аммиак // ного покриття п'єзоелектричних датчиків на амоніТеор и эксперим химия-1996 -Т 32 -№ 2, С 113ак забезпечити високу швидкість реагування дат117, LC Brousseau, Т Е Mallouk Molecular desiqn чиків на появу та зміну з часом концентрації of intercalation-based sensors Ammonia sensinq with амоніаку у середовищі, що аналізують quartz crystal mikrobalances modified by copper Поставлена задача вирішена тим, що сорбційbipyenybis(phosphonate) thin films // Anal Chem ноактивний матеріал покриття для п'єзоелектрич1997- V 69- p 679-687, RU Patent 2110061 C1 і баних мас-чутливих датчиків на амоніак на основі гато інш) координаційної сполуки 3d-nepexiflHoro металу як чутливої речовини згідно винаходу містить як осОднак для переважної більшості п'єзоелектринову натрієву сіль різнолігандної гетероядерної чних датчиків з такими покриттями характерні никоординаційної сполуки МІДІ І цинку з етилендиамізькі швидкості реагування на присутність амоніаку нтетраоцтовою кислотою та з лимонною кислотою (від десятків хвилин до декількох діб) і ще менші 62182 загальної емпіричної формули Ыа^НбСи Zn (Edta)2 (Citr)2] 7H2O, де Edta - аніон етилендиамштетраоцтової кислоти, Citr - аніон лимонної кислоти, і додатково містить як матрицю для цієї солі дисперсний кремнезем з розвиненою поверхнею, причому співвідношення солі і матриці у матеріалі вибране в діапазоні від 1,3 10 4 до 1,210 3 моль/грам Сорбційноактивний матеріал покриття для п'єзоелектричних мас-чутливих датчиків на амоніак, що заявляється, є новим композиційним матеріалом якому притаманні висока чутливість до амоніаку, швидка десорбція цього аналіту після вилучення датчика з амоніаквмісної атмосфери і довготривалий ресурс роботи без втрати технічних характеристик Синтез натрієвої солі різнолігандної гетероядерної координаційної сполуки МІДІ І цинку з етилендиамштетраоцтовою кислотою та з лимонною кислотою здійснювали за розробленою нами методикою Спочатку готували 0,001 - молярні водні розчини сульфатів МІДІ І цинку, до яких невеликими порціями при інтенсивному перемішуванні додавали 0,002 - молярний водний розчин гідрооксиду натрію Осад гідроксиду ВІДПОВІДНОГО металу, що при цьому утворювався, відфільтровували на скляному фільтрі, після чого багато разів промивали дистильованою водою до негативної реакції на вміст хлору в промивній воді До осаду гідроксиду МІДІ на фільтрі додавали водний розчин натрієвої солі етилендиамінтетраоцтової кислоти (Трилон Б) при співвідношенні метал (мідь) ліганд (Трилон Б) = 1 1 В результаті одержували комплекс МІДІ загальної формули Na2[CuEdta], де Edta - аніон етилендиамштетраоцтової кислоти Для приготування комплексу цинку з лимонною кислотою до розчину гідроксиду цинку додавали ліганд - лимонну кислоту, яка попередньо була розчинена в мінімальній КІЛЬКОСТІ ВОДИ При цьому мольне співвідношення між гідроксидом металу і лігандом було 1 2 Після багаторазового промивання осаду фільтратом він повністю переходив у розчин Для одержання натрієвої солі різнолігандної гетероядерної координаційної сполуки МІДІ і цинку з етилендиамштетраоцтовою кислотою та з лимонною кислотою змішували при інтенсивному перемішуванні розчин комплексу МІДІ З розчином комплексу цинку Для виділення цієї натрієвої солі в твердому стані розчин, що утворився, випаровували на ротаційному випарнику при температурі 40°С Після ЦЬОГО тверду сполуку заливали ацетоном, витримували суміш приблизно 24 години, а потім її відфільтровували Натрієву сіль висушували на фільтрі при температурі біля 50°С до практично повного видалення розчинника, після чого и подрібнювали розтиранням Як засвідчили результати елементного аналізу (атомно-адсорбційний аналізатор і CHNаналізатор), термогравіметричного аналізу на вміст води і електронної спектроскопії як індивідуальної сполуки, так і її розчинів, синтезована сполука має загальну формулу Na4[H6CuZn(Edta)2(Citr)2]7H2O, де Edta - аніон етилендиамштетраоцгової кислоти і Citr - аніон лимонної кислоти 6 Далі сутність винаходу пояснюється описом методики формування сорбційноактивного матеріалу покриття на підкладках п'єзоелектричних датчиків і таблицею, де представлені характеристики п'єзоелектричних датчиків з різними за КІЛЬКІСНИМ складом матеріалами покриттів згідно винаходу Три результати досліджень сенсорів, що містяться у таблиці, відповідають складу матеріалу покриттів датчиків, що вибраний в границях співвідношень солі і матриці у матеріалі від 1,3 10 4 до 1,2 10 3 моль/грам Ще два результата досліджень ілюструють роботу датчиків з матеріалом покриття, в якому співвідношення сіль/матриця виходить за верхню і нижню границі означеного діапазону Результат кожного виміру, що представлений в таблиці, відповідає виходу ВІДПОВІДНИХ кінетичних кривих на полицю, тобто досягненню хімічної рівноваги між матеріалом покриття сенсора і амоніаком Сорбційноактивний матеріал формували у вигляді покриття на підкладках п'єзоелектричних датчиків послідовно у два етапи - спочатку формували дисперсний кремнезем з розвиненою поверхнею, а потім на поверхні цього кремнезему закріплювали натрієву сіль різнолігандної гетероядерної координаційної сполуки МІДІ і цинку з етилендиамштетраоцтовою кислотою та з лимонною кислотою Дисперсний кремнезем з розвиненою поверхнею формували на підкладках п'єзоелектричних датчиків з розчину таким чином Спочатку змішували тетраетоксісилан з додецилбензолсульфокислотою, етанолом і дистильованою водою при мольному співвідношенні компонентів 1 0,17 25,7 3,5 ВІДПОВІДНО Розчин, що утворився, нагрівали при температурі біля 70°С протягом години, потім охолоджували і витримували при кімнатній температурі протягом доби, в результаті чого утворювався золь Безпосередньо перед нанесенням золю на підкладку сенсора його розбавляли спочатку 95 %-ним етанолом при співвідношенні золь етанол 1 20, а потім розбавлений золь ВДВІЧІ розбавляли дистильованою водою Розбавлений таким чином гель використовували як робочу суміш Як підкладки п'єзоелектричних датчиків на амоніак використовували високочастотні (біля 10МГц) п'єзокварцові резонатори АТ-зрізу (переважно з золотими електродами збудження), з яких попередньо знімали захисну оболонку За допомогою мікрошприця або капіляра декілька мкл робочої суміші наносили на центральну частину поверхні спочатку одного, а потім другого електроду на п'єзокристалі кожного резонатора Суміш на поверхні п'єзорезонатора сушила на повітрі при кімнатній температурі 10-15 хвилин, а потім у сушильній шафі при температурі біля 110°С протягом 15-20 хвилин Для видалення з покриття поверхневоактивної речовини - додецилбензолсульфокислоти - п'єзорезонатор з покриттям занурювали на 10-15 хвилин у 95%-ний етанол, після чого його сушили 10-15 хвилин при кімнатній температурі, а потім у сушильній шафі при температурі 110°С протягом 10-15 хвилин При цьому частота п'єзорезонатора припиняла зменшуватись і набувала певного конкретного значення 62182 Як засвідчили результати досліджень, за такою методикою на підкладках сенсорів формується дисперсний кремнезем з питомою поверхнею біля 1160м2/г речовини Така розвинена поверхня кремнезему утворюється двома типами мезапор діаметром 2,5 та 27,5 нанометрів Загальний об'єм менших пор у кремнеземі приблизно дорівнює 0,8см3/г речовини, загальний об'єм більших пор у кремнеземі сягає 0,Зсм3/г речовини, а сумарний об'єм усіх пор у кремнеземі приблизно дорівнює 1,1см3/г речовини Масу дисперсного кремнезему (Ат^, г), що утворився на поверхні п єзокварцового резонатора, визначали за рівнянням Зауербрея (див , наприклад, F L Dikert Mass-Sensitive Detektion of Solvent Vapors Predicting Sensor Effekt // Adv Mater -1996- У 8-№6- Р 525-529) -Af K =2,26-10 6 f 0 Am K /S K , де Af|
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюSorption-active coating for piezoelectric mass-sensitive ammonia detectors
Автори англійськоюBurlaenko Natalia Andriivna, Pogorila Lidia Mykhailivna, Manoryk Petro Andriovych, Manoryk Petro Andriiovych, Filipov Oleksii Pavlynovych, Shulzhenko Oleksandr Vasyliovych, Hrebennikov Volodymyr Mykhialovych, Fedorenko Maia Albertivna
Назва патенту російськоюСорбционно-активное покрытие для пьезоэлектрических датчиков, чувтвительных к массовому содержанию аммиака
Автори російськоюБурлаенко Наталья Андреевна, Погорила Лидия Михайловна, Манорик Петр Андреевич, Филиппов Алексей Павлинович, Шульженко Александр Васильевич, Гребенников Владимир Николаевич, Федоренко Майя Альбертовна
МПК / Мітки
МПК: G01N 29/00, G01N 27/00, G01N 31/22
Мітки: п'єзоелектричних, датчиків, покриття, амоніак, мас-чутливих, сорбційноактивний, матеріал
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/6-62182-sorbcijjnoaktivnijj-material-pokrittya-dlya-pehzoelektrichnikh-mas-chutlivikh-datchikiv-na-amoniak.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Сорбційноактивний матеріал покриття для п’єзоелектричних мас-чутливих датчиків на амоніак</a>
Попередній патент: Система калібрів валків прокатного стана
Наступний патент: Сорбційноактивний матеріал для покриття п’єзоелектричних датчиків на амоніак
Випадковий патент: Пристрій для фрезерування отворів