Патенти з міткою «cu6pse5i»
Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання
Номер патенту: 121570
Опубліковано: 11.12.2017
Автори: Куш Петер, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Куцик Михайло Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович
МПК: G01T 1/00
Мітки: cu6pse5i, рентгенівського, тонкої, плівки, реєстрації, йодид-пентаселенофосфату, основі, матеріалу, міді, застосування, випромінювання
Формула / Реферат:
Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.
Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії
Номер патенту: 111020
Опубліковано: 10.03.2016
Автори: Ямковий Олександр Олександрович, Демко Павло Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович
МПК: H01M 6/18
Мітки: аморфної, матеріалу, плівки, cu6pse5i, енергії, застосування, твердоелектролітичного, основі, міді, йодид-пентаселенофосфату, джерела
Формула / Реферат:
Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.
Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i
Номер патенту: 64545
Опубліковано: 10.11.2011
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович
Мітки: міді, cu6pse5i, джерела, твердоелектролітичного, матеріал, йодид-пентаселенофосфату, енергії, основі
Формула / Реферат:
Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I, який відрізняється тим, що активний елемент матеріалу виготовлено із монокристалу суперіонного провідника Cu6PSe5I.