Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I, який відрізняється тим, що активний елемент матеріалу виготовлено із монокристалу суперіонного провідника Cu6PSe5I. (19) (21) u201104745 (22) 18.04.2011 (24) 10.11.2011 (46) 10.11.2011, Бюл.№ 21, 2011 р. (72) СТУДЕНЯК ІГОР ПЕТРОВИЧ, ПАНЬКО ВАСИЛЬ ВАСИЛЬОВИЧ, КОПЕРЛЬОС БОГДАН МИХАЙЛОВИЧ 3 700 К, витримували 12 годин, далі температуру піднімали до 950 К і витримували протягом 48 годин. Далі у тих самих ампулах методом хімічних транспортних реакцій вирощувалися монокристали даної сполуки. Температура гарячої зони печі складала 943 К, холодної - 893 К. Час вирощування монокристалів складав 15 діб. Із одержаних монокристалів виготовляють паралелепіпеди, на торцеві поверхні яких наносять електричні контакти. Монокристал йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І з нанесеними електричними контактами представляє собою електролітичну комірку типу CuCu6PSe5ІC, де С - графітовий порошок, яка є основним елементом твердоелектролітичного джерела енергії. Застосування монокристалів йодидпентаселенофосфату міді Cu6PSe5І у пристроях для виробництва електричної енергії дозволяє покращити характеристики твердоелектролітичного джерела енергії, оскільки забезпечується їх висока технологічність, хімічна стійкість та відносна дешевизна. Використання монокристалів йодидпентаселенофосфату міді Cu6PSe5I у ролі матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії дає можливість застосовувати його в різних промислових виробництвах, які потребують нових та ефективних джерел енергії. Планується викорис Комп’ютерна верстка М. Ломалова 64545 4 тання кристалів Сu6РSе5І в лабораторіях УжНУ при виконанні фундаментальних досліджень нових твердоелектролітичних матеріалів. Джерела інформації: 1. Julien С. Technological applications of solid state ionics // Mat.Sci.and Engineering. - 1990. Vol.B6, № 1-2, - P.9-28. 2. Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії: Патент України № 31019, МПК (2006) Н01М 6/00, Н01М 6/18 / Студеняк І.П., Кохан О.П., Панько В.В., Біланчук В.В., Мінець Ю.В. - № u200711683; Заявлено 22.10.2007; Опубл. 25.03.2008, Бюл. № 6. - 2 с. - прототип. 3. Kuhs W.F., Nitsche R., Scheunemann K. The argyrodites - a new family of the tetrahedrally closepacked srtuctures // Mat.Res.Bull. - 1979. - Vol.14, № 2. - P.241-248. 4. Панько В.В., Студеняк И.П., Дьордяй В.С., Ковач Д.Ш., Борец А.Н., Ворошилов Ю.В. Влияние условий получения на свойства кристаллов Cu6PS5Hal // Неорг. материалы.-1988. - Т. 24, № 1. - С. 120-123. 5. Орлюкас А.С., Кеженис А.П., Микученис В.Ф., Вайткус Р.А. НЧ-, ВЧ- и СВЧ-методы исследования суперионных проводников // Электрохимия. - 1987. - Т. 23, № 1. - С. 98-104. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601