Патенти з міткою «йодид-пентаселенофосфату»

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Куцик Михайло Михайлович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер

МПК: G01T 1/00

Мітки: основі, рентгенівського, матеріалу, реєстрації, міді, йодид-пентаселенофосфату, випромінювання, тонкої, cu6pse5i, плівки, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Ямковий Олександр Олександрович, Демко Павло Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/18

Мітки: застосування, матеріалу, міді, основі, твердоелектролітичного, джерела, cu6pse5i, енергії, плівки, аморфної, йодид-пентаселенофосфату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5l як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Демко Павло Юрійович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/08

Мітки: cu6pse5l, енергії, застосування, плівки, матеріалу, основі, твердоелектролітичного, йодид-пентаселенофосфату, джерела, міді, аморфної

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i

Завантаження...

Номер патенту: 64545

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: джерела, енергії, йодид-пентаселенофосфату, міді, cu6pse5i, матеріал, твердоелектролітичного, основі

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I, який відрізняється тим, що активний елемент матеріалу виготовлено із монокристалу суперіонного провідника Cu6PSe5I.