Патенти з міткою «твердоелектролітичного»

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Рибак Стефан Олександрович, Мікула Маріан

МПК: C23C 14/35, H01M 6/18

Мітки: матеріалу, спосіб, міді, основі, джерела, твердоелектролітичного, високопровідних, тонких, енергії, одержання, cu6ps5i, плівок, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мікула Маріан, Рибак Стефан Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер

МПК: C01G 3/00, H01M 4/28, H01M 6/18 ...

Мітки: основі, спосіб, міді, джерела, одержання, cu6ps5i, енергії, плівок, високопровідних, тонких, твердоелектролітичного, йодид-пентатіофосфату, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Мікула Маріан, Машіко Владислав Володимирович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: джерела, cu6ps5br, плівки, матеріалу, міді, основі, твердоелектролітичного, тонкої, застосування, енергії, бромід-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Машіко Владислав Володимирович, Бендак Андрій Васильович, Мікула Маріан, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Куш Петер

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: cu6ps5br, міді, бромід-пентатіофосфату, енергії, основі, матеріалу, плівки, джерела, тонкої, твердоелектролітичного, застосування

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ямковий Олександр Олександрович, Гуранич Павло Павлович, Демко Павло Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/18

Мітки: енергії, плівки, cu6pse5i, джерела, основі, аморфної, застосування, твердоелектролітичного, міді, йодид-пентаселенофосфату, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, аморфної, йодид-пентатіогерманату, основі, матеріалу, застосування, cu7ges5i, джерела, плівки, твердоелектролітичного, енергії

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Біланчук Василь Васильович, Гуранич Павло Павлович, Бендак Андрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/00, H01F 1/00

Мітки: плівки, йодид-пентатіогерманату, міді, твердоелектролітичного, матеріалу, основі, джерела, cu7ges5i, застосування, енергії, аморфної

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Гуранич Павло Павлович, Ямковий Олександр Олександрович, Демко Павло Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/08

Мітки: cu6pse5l, аморфної, йодид-пентаселенофосфату, застосування, твердоелектролітичного, енергії, основі, плівки, міді, джерела, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: матеріал, твердоелектролітичного, cu7gese5i, міді, монокристалу, енергії, джерела, основі, йодид-пентаселеногерманату

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Сусліков Леонід Михайлович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: основі, джерела, йодид-пентатіофосфату, кераміки, енергії, матеріалу, твердоелектролітичного, суперіонної, міді, застосування, нанокристалічного, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: розчину, енергії, твердого, застосування, твердоелектролітичного, cu7ge(s0,7se0,3)5i, монокристалу, матеріалу, джерела

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович, Гуранич Павло Павлович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: джерела, йодид-пентатіофосфату, застосування, твердоелектролітичного, міді, аморфної, плівки, сu6ps5i, основі, енергії, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 65984

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Гуранич Павло Павлович, Мінець Юрій Васильович, Чомоляк Артем Анатолійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: міді, твердоелектролітичного, cu6ps5i, застосування, плівки, аморфної, джерела, енергії, йодид-пентатіофосфату, матеріалу, основі

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 64545

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, cu6pse5i, основі, джерела, матеріал, твердоелектролітичного, йодид-пентаселенофосфату, міді

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I, який відрізняється тим, що активний елемент матеріалу виготовлено із монокристалу суперіонного провідника Cu6PSe5I.

Номер патенту: 64541

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович, Мінець Юрій Васильович, Бучук Роман Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: основі, міді, кераміки, застосування, твердоелектролітичного, йодид-пентатіофосфату, матеріалу, суперіонної, енергії, cu6ps5i, нанокристалічного, джерела

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу іонну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 94851

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Прітц Іван Павлович, Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович

МПК: H01M 6/00

Мітки: енергії, кераміки, cu6ps5i, суперіонної, міді, джерела, матеріал, твердоелектролітичного, йодид-пентатіофосфату, основі

Формула / Реферат:

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що матеріал виготовлено із суперіонної кераміки мікрокристалічної структури, а саме з мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, при цьому матеріал має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації.

Номер патенту: 60128

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, джерела, cu6ps5cl, застосування, твердоелектролітичного, полікристалічного, матеріалу, енергії, хлорид-пентатіофосфату, композиту

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу композиту, що має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 54729

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович, Прітц Іван Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: міді, суперіонної, основі, енергії, матеріалу, йодид-пентатіофосфату, твердоелектролітичного, кераміки, застосування, джерела, cu6ps5i, мікрокристалічного

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, що має високу іонну провідність та низьку енергію активації, як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 88417

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Коперльос Богдан Михайлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, енергії, матеріал, джерела, основі, твердоелектролітичного, хлорид-пентатіофосфату, cu6ps5cl

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі хлорид-пентатіофосфату міді, який відрізняється тим, що хлорид-пентатіофосфат міді Cu6PS5Cl є монокристалом.

Номер патенту: 40029

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01L 45/00

Мітки: матеріалу, міді, енергії, cu6ps5cl, застосування, джерела, хлорид-пентатіофосфату, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 85158

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Бучук Роман Юрійович, Пріц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: йодидпентатіофосфату, застосування, твердоелектролітичного, композита, джерела, cu6ps5i, енергії, міді, матеріалу, полікристалічного

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодидпентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: джерела, матеріалу, cu7ges5i, йодид-пентатіогерманату, твердоелектролітичного, застосування, міді, енергії

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 38013

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Пріц Іван Павлович, Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович

МПК: H01L 29/00

Мітки: міді, матеріалу, застосування, композита, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, джерела, твердоелектролітичного, полікристалічного, енергії

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 83930

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: джерела, міді, cu6ps5i, застосування, твердоелектролітичного, йодид-пентатіофосфату, енергії

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6PS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 31019

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: cu7ges5i, йодид-пентатіогерманату, енергії, міді, джерела, застосування, матеріалу, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 23103

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Коперльос Богдан Михайлович, Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: матеріалу, джерела, твердоелектролітичного, енергії, йодид-пентатіофосфату, міді, cu6ps5i, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.