Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-n-cdte

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-n-CdTe, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічних та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямляючого контакту підкладинки з омічними контактами відпалюють на повітрі при температурі 520±5 °С протягом 10±2 хв. (19) (21) u200811855 (22) 06.10.2008 (24) 25.03.2009 (46) 25.03.2009, Бюл.№ 6, 2009 р. (72) МАХНІЙ ВІКТОР ПЕТРОВИЧ, UA, СКРИПНИК МИКОЛА ВОЛОДИМИРОВИЧ, UA, ДЕМИЧ МИКОЛА ВАСИЛЬОВИЧ, UA (73) ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА, UA 3 40056 4 чає механічне та хімічне полірування підкладинки і поверхнею мають значно ширший спектр фоточустворення на ній омічних контактів, а перед нанетливості Sω ніж ті, які описані у прототипі [2]. Це сенням випрямляючого контакту підкладинка проілюструється даними, приведених на Фіг.1, з яких ходить додаткову обробку, яка полягає у відпалі видно, що діоди з модифікованою поверхнею підкладинки з омічними контактами на повітрі при (крива 1) при ħω≥2eB мають більш високу фоточутемпературі 520±50°С протягом 10±2хв. тливість порівняно з прототипом (крива 2). Крім Спектри фоточутливості виготовленого фототого, спектр також розширюється у низько енергедіода та прототипу зображені на Фіг.1 кривими 1 та тичну область, оскільки відсічка на осі енергій фо2 відповідно. тонів дає ħω≈1,3еВ, що значно менше від величиЗапропонований спосіб апробований при вигони 1,5еВ, яка спостерігається для прототипа. товленні фотодіодів Аu-n-CdTe на базі підкладинок Експериментально також встановлено, що висота потенціального бар'єра діодів з модифікователуриду кадмію з електронною провідністю sn=101 ною поверхнею близька до величини j0 прототипа, Ом-1·см-1 при 300К. Технологія підготовки базових пластинок і створення омічних контактів аналогічтобто структури Au-n-CdTe(Li). Крім того, додаткона тій, яка описана у прототипі [2]. Перед напивий відпал практично не впливає на величину поленням золотого випрямляючого контакту підготослідовного опору R0 діода. Це свідчить про надвлені таким чином підкладинки проходили звичайно малий внесок модифікованого додатковий відпал на повітрі, оскільки раніше наповерхневого шару на величину R0. Результати ми було встановлено, що така обробка викликає порівнювальних вимірювань значень φ0, R0 і шизначне збільшення інтенсивності крайової люмінерини спектрального діапазону Δħω фоточутливості сценції [3]. Зауважимо, що це еквівалентно зменпри 300К для контактів Au-n-CdTe, виготовлених шенню швидкості поверхневої рекомбінації, у рена підкладинках підготовленими за різними технозультаті чого діоди з відпаленою (модифікованою) логіями наведено у таблиці. Таблиця тип діода параметр Au-n-CdTe(Li) Аu-n-СdТе(мод.) Як видно з наведених даних запропонований спосіб виготовлення контактів метал-nCdTe приводить до суттєвого збільшення спектрального діапазону фоточутливості. При цьому інші приведені у таблиці параметри φ0, V ХХ і R0, які усереднені по декількох зразках для кожного типу діодів, близькі між собою. Вкажемо також, що напруга холостого ходу для всіх діодів виміряна при однаковому рівні освітленості і спектральному складі джерела випромінювання. Джерела інформації: Комп’ютерна верстка В. Мацело φ0, еВ 1,2±0,1 R-0, OM 40±2 ħω, еВ 1,5-3,5 VXX, B 0,7±0,05 1,1±0,1 45±2 1,3-5,0 0,7±0,05 1. Фаренбух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: теория и эксперемент. - М.: Энергоатомиздат. 1987. - 280с. 2. Махній В.П., Скрипник М.В. Спосіб виготовлення контакту МЕТАЛ - n-CdTe// Патент на корисну модель UA №31891, пр. від 25.04.2008р. 3. Махній В.П., Демич М.В., Сльотов М.М. Спосіб обробки поверхні кристалів Сd1-xZnхТе // Деклар. патент на винахід UA №65010, пр. від 22.04.2003р. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601