Демич Микола Васильович

Номер патенту: 40056

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Демич Микола Васильович, Скрипник Микола Володимирович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00

Мітки: контакту, спосіб, виготовлення, фотодіодa, метал-n-cdte, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-n-CdTe, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічних та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямляючого контакту підкладинки з омічними контактами відпалюють на повітрі при температурі 520±5 °С протягом 10±2 хв.

Номер патенту: 65010

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Демич Микола Васильович, Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: H01L 21/477

Мітки: спосіб, обробки, поверхні, cd1-xznxte, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів Cd1-хZnxTe з , що включає механічне та хімічне полірування напівпровідникових підкладинок, який відрізняється тим, що підкладинку додатково відпалюють на повітрі при температурі 520±50°С протягом 10±2хв.

Номер патенту: 62650

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович

МПК: C30B 31/00

Мітки: кристалів, провідності, cd1-xznxte, компенсації, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб компенсації провідності кристалів Cd1-xZnxTe з 0 £ x £ 0,1, що включає легування з парової фази, який відрізняється тим, що кристал легують оловом з парової фази при температурі 850±50 °C.