Кравчина Віталій Вікторович

Номер патенту: 46274

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Кравчина Акім Віталійович, Кравчина Віталій Вікторович, Швець Євген Якович, Гомольський Дмитро Михайлович

МПК: H01L 21/306, H01L 21/225

Мітки: приладів, напівпровідникових, силових, кільцем, дифузійним, виготовлення, охоронним, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем, що включає підготовку шліфованих пластин, проведення процесів дифузії легуючих домішок р- та n-типу провідності, локальне травлення, локальну дифузію, формування легованого бором та алюмінієм глибокого р+-р-шару, окислення, формування шару з охоронним дифузійним кільцем, вилучення окислу, формування ізоляції, формування фаски за допомогою механічної та...

Номер патенту: 27068

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Костенко Валер'ян Остапович, Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: H01L 21/70

Мітки: комбінованою, ізоляцією, комплементарних, спосіб, транзисторів, інтегральних, виготовленя, схем

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих структур з комбінованою діелектричною ізоляцією комплементарних транзисторів, який включає анізотропне травлення канавок під ізоляцію, окислення рельєфної поверхні підкладки, осадження на неї шару полікристалічного кремнію, формування підкладки полікристалічного кремнію та карманів з монокристалічним кремнієм, які ізольовані між собою діелектричною плівкою оксиду кремнію, осадження епітаксійної плівки з...

Номер патенту: 22539

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Ніконова Аліна Олександрівна, Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Акім Віталійович, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: H01L 21/70

Мітки: діелектрику, структур, кремнію, спосіб, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування структур кремнію на діелектрику, який включає окислення пластин кремнію, осадження плівок нітриду кремнію, проведення процесів фотолітографії, локальне травлення плівок нітриду, окислу кремнію та кремнію, локальне окислення кремнію, який відрізняється тим, що після окислення пластин кремнію осаджують плівки Si3N4 товщиною 0,1-2,0 мкм, проводять одночасно поверхнево-анізотропне травлення і селективне травлення кремнію в...

Номер патенту: 69040

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Кравчина Віталій Вікторович, Горбань Олександр Миколайович, Костенко Валер'ян Остапович

МПК: H01L 21/70

Мітки: інтегральних, комплементарними, мікросхем, транзисторами, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення інтегральних схем з комплементарними транзисторами, який включає формування на монокристалічній кремнієвій пластині плівки нітриду кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, формування першої плівки двоокису кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, травлення першої групи ізолюючих канавок, формування захованого шару, формування другої плівки двоокису кремнію, відкривання вікон у плівках нітриду кремнію за...

Номер патенту: 29594

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: G01P 15/12

Мітки: інтегральній, виготовлення, прискорення, датчик, спосіб

Текст:

...толщиной 100-800 мкм, что обеспечивает возможность точного задания емкостного зазора и крепления датчика. Упругие балки содержат интегральные полупроводниковые приборы, что позволяет определять ускорение по электрическим характеристикам этих приборов независимо от определения ускорения по изменению емкости емкостного зазора. Пробная масса имеет не две, как в прототипе, а одну степень свободы, что позволяет точнее определить ускорение, это...