Костенко Валер’ян Остапович
Спосіб підвищення точності прогнозу локального перевантаження в стільниковій мережі рухомого зв’язку
Номер патенту: 81170
Опубліковано: 25.06.2013
Автори: Піза Дмитро Макарович, Костенко Валер'ян Остапович, Сметанін Ігор Миколайович, Сметанін Ростислав Ігорович
МПК: H04W 48/00, H04W 72/00
Мітки: прогнозу, зв'язку, стільниковій, точності, локального, рухомого, підвищення, спосіб, перевантаження, мережі
Формула / Реферат:
Спосіб підвищення точності прогнозу локального перевантаження стільникової мережі, який полягає в тому, що в одній комірці мережі фіксують кількість абонентів і при досягненні їх порогового рівня виконують прогноз перевантаження вважаючи її коміркою-кандидатом та починають вимірювати та аналізувати параметри потоків переміщення абонентів у ній і у сусідніх комірках шляхом формування векторів переміщення з встановленим інтервалом часу для...
Спосіб прогнозу локального перевантаження в стільниковій мережі рухомого зв’язку
Номер патенту: 68743
Опубліковано: 10.04.2012
Автори: Костенко Валер'ян Остапович, Сметанін Ігор Миколайович, Піза Дмитро Макарович
МПК: H04W 72/00, H04W 48/00
Мітки: перевантаження, зв'язку, локального, рухомого, спосіб, мережі, прогнозу, стільниковій
Формула / Реферат:
1. Спосіб прогнозу локального перевантаження стільникової мережі, який полягає в тому, що в одній комірці мережі фіксують кількість абонентів і при досягненні їх порогового рівня виконують прогноз перевантаження, вважаючи її коміркою-кандидатом, та починають вимірювати та аналізувати параметри потоків переміщення абонентів у ній і у сусідніх комірках та визначають майбутнє перевантаження, який відрізняється тим, що у процесі виміру...
Спосіб виготовленя інтегральних схем з комбінованою ізоляцією комплементарних транзисторів
Номер патенту: 27068
Опубліковано: 10.10.2007
Автори: Костенко Валер'ян Остапович, Кравчина Віталій Вікторович, Гомольський Дмитро Михайлович
МПК: H01L 21/70
Мітки: комбінованою, інтегральних, транзисторів, схем, ізоляцією, спосіб, виготовленя, комплементарних
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення кремнієвих структур з комбінованою діелектричною ізоляцією комплементарних транзисторів, який включає анізотропне травлення канавок під ізоляцію, окислення рельєфної поверхні підкладки, осадження на неї шару полікристалічного кремнію, формування підкладки полікристалічного кремнію та карманів з монокристалічним кремнієм, які ізольовані між собою діелектричною плівкою оксиду кремнію, осадження епітаксійної плівки з...
Спосіб виготовлення інтегральних мікросхем з комплементарними транзисторами
Номер патенту: 69040
Опубліковано: 16.08.2004
Автори: Костенко Валер'ян Остапович, Горбань Олександр Миколайович, Кравчина Віталій Вікторович
МПК: H01L 21/70
Мітки: спосіб, мікросхем, комплементарними, виготовлення, інтегральних, транзисторами
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення інтегральних схем з комплементарними транзисторами, який включає формування на монокристалічній кремнієвій пластині плівки нітриду кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, формування першої плівки двоокису кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, травлення першої групи ізолюючих канавок, формування захованого шару, формування другої плівки двоокису кремнію, відкривання вікон у плівках нітриду кремнію за...