Гомольський Дмитро Михайлович
Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем
Номер патенту: 46274
Опубліковано: 10.12.2009
Автори: Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Акім Віталійович, Кравчина Віталій Вікторович, Швець Євген Якович
МПК: H01L 21/225, H01L 21/306
Мітки: спосіб, приладів, охоронним, кільцем, напівпровідникових, дифузійним, силових, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем, що включає підготовку шліфованих пластин, проведення процесів дифузії легуючих домішок р- та n-типу провідності, локальне травлення, локальну дифузію, формування легованого бором та алюмінієм глибокого р+-р-шару, окислення, формування шару з охоронним дифузійним кільцем, вилучення окислу, формування ізоляції, формування фаски за допомогою механічної та...
Спосіб виготовленя інтегральних схем з комбінованою ізоляцією комплементарних транзисторів
Номер патенту: 27068
Опубліковано: 10.10.2007
Автори: Кравчина Віталій Вікторович, Гомольський Дмитро Михайлович, Костенко Валер'ян Остапович
МПК: H01L 21/70
Мітки: спосіб, виготовленя, транзисторів, комбінованою, ізоляцією, схем, комплементарних, інтегральних
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення кремнієвих структур з комбінованою діелектричною ізоляцією комплементарних транзисторів, який включає анізотропне травлення канавок під ізоляцію, окислення рельєфної поверхні підкладки, осадження на неї шару полікристалічного кремнію, формування підкладки полікристалічного кремнію та карманів з монокристалічним кремнієм, які ізольовані між собою діелектричною плівкою оксиду кремнію, осадження епітаксійної плівки з...
Спосіб формування структур кремнію на діелектрику
Номер патенту: 22539
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Віталій Вікторович, Ніконова Аліна Олександрівна, Кравчина Акім Віталійович
МПК: H01L 21/70
Мітки: формування, кремнію, структур, діелектрику, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб формування структур кремнію на діелектрику, який включає окислення пластин кремнію, осадження плівок нітриду кремнію, проведення процесів фотолітографії, локальне травлення плівок нітриду, окислу кремнію та кремнію, локальне окислення кремнію, який відрізняється тим, що після окислення пластин кремнію осаджують плівки Si3N4 товщиною 0,1-2,0 мкм, проводять одночасно поверхнево-анізотропне травлення і селективне травлення кремнію в...