Патенти з міткою «надтонкого»
Спосіб виробництва надтонкого печива з гладкою поверхнею
Номер патенту: 97891
Опубліковано: 26.03.2012
Автори: Бессе Ніколя, Годюшон Люк, Машадо Луї, Тронсмо Карі
МПК: A21D 8/02, A21D 13/08
Мітки: печива, спосіб, виробництва, поверхнею, надтонкого, гладкою
Формула / Реферат:
1. Спосіб виробництва тонкого печива з гладкою поверхнею, який включає:замішування тіста, змішуючи інгредієнти при температурі від 37 °C до 70 °C, а саме від 40 °C до 70 °C, щоб отримати в'язке тісто, яке добре розкочується, причому таке тісто має наступний склад за масою:0-56 % пшеничного борошна,4-62 % нативного крохмалю,1-26 % желатинованого крохмалю,при цьому на одну одиницю ваги співвідношення нативного...
Млин надтонкого помелу
Номер патенту: 67355
Опубліковано: 10.02.2012
Автори: Корзун Олександр Володимирович, Конов Владислав Геннадійович, Степанов Валерій Федорович, Степанов Степан Валерійович, Корзун Ганна Миколаївна, Конова Алла Дмитрівна
МПК: B02C 13/00
Мітки: млин, помелу, надтонкого
Формула / Реферат:
1. Млин надтонкого помелу, що містить корпус, який утворює камеру подрібнення, вертикальний ротор з приводом обертання, встановлений в камері подрібнення, засоби подачі подрібнюваного матеріалу в камеру подрібнення, засоби відведення подрібненого матеріалу з камери подрібнення, який відрізняється тим, що в камері подрібнення встановлений другий вертикальний ротор, обидва ротори мають однакові напрями обертання, кожен ротор виконаний у...
Фармацевтична композиція надтонкого формотеролу
Номер патенту: 81238
Опубліковано: 25.12.2007
Автори: Черч Таня Кетлін, Мікін Брайан Джон, Ферраріс Алессандра, Брамбілла Гаетано, Дейвіс Ребекка Джейн, ендертон Дейвід, Люіс Дейвід Ендрю
МПК: A61K 47/10, A61K 31/167, A61K 9/12 ...
Мітки: композиція, фармацевтична, надтонкого, формотеролу
Формула / Реферат:
1. Фармацевтична аерозольна композиція для введення за допомогою герметизованого під тиском інгалятора з мірним дозуванням, яка містить активний інгредієнт, вибраний з формотеролу або його стереоізомеру, фізіологічно прийнятної солі і сольвату, у розчині у зрідженому пропеленті HFA і етанолі як співрозчиннику,яка відрізняється тим, що формотерол міститься у концентрації 0,003-0,192 % (мас./об.), етанол є у безводній формі, а...
Спосіб отримання надтонкого шару оксиду для транзисторів з ефектом пам’яті
Номер патенту: 22865
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович
МПК: H01L 21/70, H01L 21/265
Мітки: транзисторів, ефектом, оксиду, спосіб, надтонкого, пам'яті, шару, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких шарів оксиду SiO2, за яким тонкий шар оксиду осаджують з газової фази, відпалюють у атмосфері сухого азоту та опромінюють іонами кремнію, який відрізняється тим, що як імплантовані іони Si використовують низькоенергійні іони Si+ з енергією 1-2 кеВ, а відпал здійснюють при температурі 1030-1070 °С протягом 25-30 хв у атмосфері з вмістом кисню з залишковим тиском кисню 45-50 мбар.