Патенти з міткою «одноперехідний»

Номер патенту: 53618

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: G01L 9/04

Мітки: тензотранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні і другим омічним контактом на протилежній стороні та розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що поруч з другим омічним контактом на базі розташовано перехід метал-напівпровідник, який електрично поєднано з цим омічним контактом.

Номер патенту: 20016

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Панфілов Максим Іванович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Никифоров Станислав Миколайович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фототранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний фототранзистор, що містить напівпровідник n-типу з двома омічними базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що в p-області р-n-переходу сформовано додаткову область n-типу.

Номер патенту: 19977

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Мінгальов Володимир Олександрович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: одноперехідний, тензотранзистор

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник.