Одноперехідний тензотранзистор

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник. (19) (21) u200605556 (22) 22.05.2006 (24) 15.01.2007 (46) 15.01.2007, Бюл. № 1, 2007 р. (72) Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Мінгальов Володимир Олександрович, Никифоров Станислав Миколайович (73) ОДЕСЬКА НАЦІОН АЛЬНА АКАДЕМІЯ ЗВ'ЯЗКУ ІМ. О.С.ПОПОВА 3 19977 4 Дослідні зразки одноперехідного тензотранзивикористанням треба менша кількість підсилююстора виготовляли на базі кристалів з кремнію nчих елементів, тобто зменшується вартість притипу з питомим опором 200Ом см. Площина верхстрою. Технологія одноперехідного тензотранзисньої та нижньої поверхні 0.5*0.5мм 2, відстань протора не відрізняється від технології звичайних між ними 200мкм. В якості верхнього металевого транзисторів і він може виготовлятися на будьконтакта наносили плівку золота затовшки в декіякому підприємстві електронної техніки. лька мікрометрів. Емітерний р-n-перехід, та нижній ЛІТЕРАТУРА контакт до бази виготовляли звичайним методом 1. Бабичев и др. Преобразователь давления с дифузії. Виміри показали, що при тиску до 30МПа частотным выходом на основе однопереходных частота генератора на пропонуємому одноперехітензотранзисторов // Технология и конструировадного тензотранзистора змінюється в 10-15 разів, ние в электронной аппаратуре.- 2004.- № 3.- С. 48що на порядок величини вища, ніж у звістного тен51. зочутливого сенсора на одноперехідному транзис2. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупторі [1] . Економічний ефект від використання одроводниковых приборов.- Москва: Изд. Радио и ноперехідного тензотранзистора полягає в тому, связь. - 1990. що в пристроях для виміру слабких тисків з його Комп’ютерна в ерстка Г. Паяльніков Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601