Никифоров Станислав Миколайович

Номер патенту: 20016

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович, Панфілов Максим Іванович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/10

Мітки: одноперехідний, фототранзистор

Формула / Реферат:

Одноперехідний фототранзистор, що містить напівпровідник n-типу з двома омічними базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що в p-області р-n-переходу сформовано додаткову область n-типу.

Номер патенту: 19977

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Мінгальов Володимир Олександрович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: одноперехідний, тензотранзистор

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник.

Номер патенту: 19922

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Мінгальов Володимир Олександрович, Никифоров Станислав Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить чотиришарову p-n-p-n структуру, який відрізняється тим, що містить чотири чотирьохшарові p-n-p-n структури, при цьому аноди та примикаючи до них бази суміщені та є спільними до всіх фототиристорів, а колектори і катоди усередині них розташовані навкруги анода на рівній відстані від нього.