Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Одноперехідний фототранзистор, що містить напівпровідник n-типу з двома омічними базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що в p-області р-n-переходу сформовано додаткову область n-типу.

Текст

Одноперехідний фототранзистор, що містить напівпровідник n-типу з двома омічними базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що в p-області р-nпереходу сформовано додаткову область n-типу. (19) (21) u200606237 (22) 05.06.2006 (24) 15.01.2007 (46) 15.01.2007, Бюл. № 1, 2007 р. (72) Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станіслав Миколайович, Панфілов Максим Іванович 3 20016 4 вірка роботи одноперехідного фототранзистора в Технологія одержання одноперехідного фотосхемі, яку приведено на Фіг.2, показала що фототранзистора не відрізняється від технології кремчутливість одноперехідного фототранзистора, нієвих транзисторів, які виготовляються методом який пропонується, в 4-5 разів ви ща, ніж чутлиподвійної дифузії, і він може вироблятися на будьвість відомого аналогу. якому підприємстві електронної промисловості. Комп’ютерна в ерстка А. Рябко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Unijunction phototransistor

Автори англійською

Vikulin Ivan Mykhailovych, Kurmashev Shamil Dzhamashevych

Назва патенту російською

Однопереходный фототранзистор

Автори російською

Викулин Иван Михайлович, Курмашев Шамиль Джамашевич

МПК / Мітки

МПК: H01L 31/10

Мітки: фототранзистор, одноперехідний

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-20016-odnoperekhidnijj-fototranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Одноперехідний фототранзистор</a>

Подібні патенти