Одноперехідний тензотранзистор
Номер патенту: 53618
Опубліковано: 11.10.2010
Автори: Вікулін Іван Михайлович, Сидорець Ростислав Григорович, Курмашев Шаміль Джамашевич
Формула / Реферат
Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні і другим омічним контактом на протилежній стороні та розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що поруч з другим омічним контактом на базі розташовано перехід метал-напівпровідник, який електрично поєднано з цим омічним контактом.
Текст
Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні і другим омічним контактом на протилежній стороні та розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що поруч з другим омічним контактом на базі розташовано перехід металнапівпровідник, який електрично поєднано з цим омічним контактом. (19) (21) u201004826 (22) 22.04.2010 (24) 11.10.2010 (46) 11.10.2010, Бюл.№ 19, 2010 р. (72) КУРМАШЕВ ШАМІЛЬ ДЖАМАШЕВИЧ, ВІКУЛІН ІВАН МИХАЙЛОВИЧ, СИДОРЕЦЬ РОСТИСЛАВ ГРИГОРОВИЧ (73) ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМ. І.І. МЕЧНИКОВА 3 53618 при тиску до -30МПа частота генератора на ОТТ, що пропонується, змінюється в 15-20 разів, що на порядок величини вища, ніж у звістного тензочутливого сенсора на одноперехідному транзисторі з омічним контактом до верхньої частині бази (прототип), в якому використано тензорезистивний ефект в базовому напівпровіднику. Така більш висока чутливість обумовлена тим, що тензочутливість контакту метал-напівпровідник (що зветься також бар'єром Шотки) при зворотньому зміщенні набагато разів вища чутливості за рахунок тензорезистивного ефекту (А.Л.Полякова. Деформація полупроводников и полупроводниковых приборов Комп’ютерна верстка Н. Лиcенко 4 // М.: Энергия. 1979., С.102). При тиску 20МПа чутливість перетворювача складає 0.03кГц/Па. Економічний ефект від використання ОТТ полягає в тому, що в пристроях для виміру слабких тисків з його використанням треба менша кількість підсилюючих елементів, тобто зменшується вартість пристрою. Технологія ОТТ не відрізняється від технології звичайних транзисторів і він може виготовлятися на будь-якому підприємстві електронної техніки. Перевагою транзистора є висока тензочутливість при роботі в режимі генератора релаксаційних коливань. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюOne-transition strain-gage-transistor
Автори англійськоюKurmashev Shamil Dzhamashevych, Vikulin Ivan Mykhailovych, Sydorets Rostyslav Hryhorovych
Назва патенту російськоюОднопереходный тензотранзистор
Автори російськоюКурмашев Шамиль Джамашевич, Викулин Иван Михайлович, Сидорец Ростислав Григорьевич
МПК / Мітки
МПК: G01L 9/04
Мітки: тензотранзистор, одноперехідний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-53618-odnoperekhidnijj-tenzotranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Одноперехідний тензотранзистор</a>
Попередній патент: Стрічкопиляльна лінія для виготовлення радіальних заготовок із деревини
Наступний патент: Спосіб виробництва консервованих слив
Випадковий патент: Батарея кліткова для утримання птахів