Cпociб otpиmaння нoboгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7
Номер патенту: 49970
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Горічок Ігор Володимирович, Дикун Наталя Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович
Формула / Реферат
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВі4Те7, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те) високого класу чистоти (99,999 %), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВі4Те7.
Текст
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВі4Те7, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуу 3 49970 температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу витримують при цій температурі, потім здійснюють гомогенізаційний відпал, а у подальшому її охолоджують і після чого одержані злитки дроблять і пресують. Приклад конкретного виконання Вихідні компоненти чистоти (99,999%) свинець, вісмут і телур. Взяті у вагових співвідношеннях, що відповідають хімічній формулі РbВі4Те7 (Рb=0,11 мас. %, Ві=0.43 мас. %, Те=0,46 мас. %) завантажують в ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів і яка складає (1070±10)К, витримують при цій температурі на протязі 5 го Комп’ютерна верстка А. Крулевський 4 дин, потім здійснюють гомогенізаційний відпал при температурі (930±20)К на протязі 3 годин, охолоджують синтезований матеріал на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і пресуюсь. Термоелектричні параметри отриманого таким чином матеріалу при кімнатній температурі мають наступні значення: = 21мкВ К-1, =2,9∙103Ом-1см-1, =38,2∙10-3Вт см-1 К-1, 2 =1.279мкВт см-1К-1, Z=0,033∙10-3 К-1, ZT300K=0,01 і характеризуються покращеними механічними властивостями. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for producing new thermo-electric material n-pbbi4te7
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Horichok Ihor Volodymyrovych, Dykun Natalia Ivanivna
Назва патенту російськоюСпособ получения нового термоэлектрического материала n-pbbi4те7
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Горичок Игорь Владимирович, Дыкун Наталья Ивановна
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/00
Мітки: cпociб, n-pbbi4те7, tepmoeлektpичнoгo, otpиmaння, нoboгo, matepiaлу
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-49970-cpocib-otpimannya-nobogo-tepmoelektpichnogo-matepialu-n-pbbi4te7.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Cпociб otpиmaння нoboгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7</a>
Попередній патент: Екстракційно-фотометричний спосіб визначення декаметоксину
Наступний патент: Застосування витяжних заклепок як голок коронуючого електроду
Випадковий патент: Спосіб індукційного нагрівання