Патенти з міткою «tepmoeлektpичнoгo»

Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)

Завантаження...

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/16, H01L 35/14, H01L 35/34 ...

Мітки: tepmoeлektpичнoгo, розчину, вигляді, tpиtioctaнatу, одержання, талію, основі, cпociб, moнokpиctaлib, твердого, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Cпociб otpиmaння нectexiometpичнoгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7<те>

Завантаження...

Номер патенту: 51832

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Горічок Ігор Володимирович, Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tepmoeлektpичнoгo, cпociб, нectexiometpичнoгo, matepiaлу, n-pbbi4те7<те&gt, otpиmaння

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу n-РbВi4Те7<Те>, який полягає в тому, що вихідні компоненти свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВі4Te7, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Cпociб otpиmaння нoboгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7

Завантаження...

Номер патенту: 49970

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Дикун Наталя Іванівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: cпociб, tepmoeлektpичнoгo, n-pbbi4те7, matepiaлу, otpиmaння, нoboгo

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВі4Те7, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...