Cпociб otpиmaння нectexiometpичнoгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7<те>
Номер патенту: 51832
Опубліковано: 10.08.2010
Автори: Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Прокопів Володимир Васильович
Формула / Реферат
Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу n-РbВi4Те7<Те>, який полягає в тому, що вихідні компоненти свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВі4Te7, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти використовують додатково надстехіометричний телур до 2 ат. %, високого класу чистоти (99,999 %).
Текст
Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу n-РbВi4Те7, який полягає в тому, що вихідні компоненти свинець (Рb), 3 51832 Отриманий термоелектричний матеріал характеризується покращеними термоелектричними параметрами та високою механічною міцністю. Це пов'язано із тим, що надстехіометричний телур, утворюючи антиструктурні дефекти Te Pb , обумовлює зростання питомої електропровідності і зменшення коефіцієнту теплопровідності. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу здійснюють наступним чином. Як вихідні речовини використовують свинець, вісмут і телур, взяті у вагових співвідношеннях, що відповідають хімічній формулі РbВі4Те7, а також надстехіометричний телур, завантажують у кварцову ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу витримують при цій температурі, потім здійснюють гомогенізаційний відпал, а у подальшому її охолоджують і після чого одержані злитки дроблять і пресують. Приклад конкретного виконання. Вихідні компоненти чистоти (99,999%) свинець, вісмут і телур. Взяті у вагових співвідношеннях, що відповідають Комп’ютерна верстка Л.Купенко 4 хімічній формулі РbВі4Те7 (Рb = 0,11мас. %, Ві = 0,43мас. % ,Те = 0,46мас. %) а також додатково надстехіометричний телур до 2ат. %, завантажують в ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів і яка складає (1070±10) К, витримують при цій температурі на протязі 5 годин, потім здійснюють гомогенізаційний відпал при температурі (930±20) К на протязі 3 годин, охолоджують синтезований матеріал на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і пресуюсь. Термоелектричні параметри отриманого таким чином матеріалу при кімнатній температурі мають наступні значення: -28 мкB K-1, 4,5 103Oм-1см-1 , 34,1 10-3Вт см-1К-1, 2 3,528 мкВт см 1 -1 К Z=0,103 10-3K-1, ZT300K=0,031 і характеризуються покращеними механічними властивостями. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for producing of not-stoichiometric thermal-electrical material n-pbbi4te7<te>
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Horichok Ihor Volodymyrovych, Mezhylovska Liubov Yosypivna, Prokopiv Volodymyr Vasyliovych
Назва патенту російськоюСпособ получения нестехиометрического термоэлектрического материала n-pbbi4te7<те>
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Горичок Игорь Владимирович, Межиловская Любовь Иосифовна, Прокопив Владимир Васильевич
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/00
Мітки: нectexiometpичнoгo, tepmoeлektpичнoгo, matepiaлу, n-pbbi4те7<те>, otpиmaння, cпociб
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-51832-cpocib-otpimannya-nectexiometpichnogo-tepmoelektpichnogo-matepialu-n-pbbi4te7lttegt.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Cпociб otpиmaння нectexiometpичнoгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7<те></a>
Cпociб otpиmaння нoboгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7
Номер патенту: 49970
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталя Іванівна
МПК: C30B 11/00
Мітки: n-pbbi4те7, tepmoeлektpичнoгo, otpиmaння, cпociб, matepiaлу, нoboгo
Формула / Реферат:
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВі4Те7, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...
Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу р-pbsb2те4<те>
Номер патенту: 46917
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Борик Віктор Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/00
Мітки: термоелектричного, спосіб, отримання, нестехіометричного, р-pbsb2те4<те>, матеріалу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу p-PbSb2Te4<Te>, який полягає в тому, що вихідну речовину свинець (Рb), сурму (Sb), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці PbSb2Te4, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...
Cпociб otpиmaння mikpokpиctaлib tbepдoгo poзчину inas1-хsbх
Номер патенту: 48820
Опубліковано: 12.04.2010
Автори: Макідо Олена Юріївна, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович
МПК: C30B 25/00
Мітки: mikpokpиctaлib, poзчину, tbepдoгo, inas1-хsbх, cпociб, otpиmaння
Формула / Реферат:
Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InAs1-xSbx, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, стибію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, в яку завантажують підкладку, з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною...
Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу
Номер патенту: 36475
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна
МПК: C01B 19/00, H01L 21/00
Мітки: телуриду, термоелектричного, отримання, n-типу, свинцю, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, двойодистий свинець, нікель і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...
Спосіб отримання термоелектричного телуриду олова
Номер патенту: 36476
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Прокопів Володимир Васильович
МПК: C30B 11/02
Мітки: олова, спосіб, телуриду, термоелектричного, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного телуриду олова, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, вісмут, олово і телур, взяті у відповідних масових співвідношеннях, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування,...
Попередній патент: Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю
Наступний патент: Паливний брикет
Випадковий патент: Хвилеподібна просторова каркасно-модульна система