Костюк Оксана Богданівна

Номер патенту: 102226

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Костюк Оксана Богданівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричною, питомою, потужністю, отримання, snte:sb, високою, слюди, наноструктур, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований сурмою станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а...

Номер патенту: 102175

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Яворський Ярослав Святославович, Костюк Оксана Богданівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, ситалових, термо-е.р.с, snte:sb, наноструктур, спосіб, значною, p-типу, підкладках

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...

Номер патенту: 101359

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна, Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: високою, snte:sb, питомою, слюди, спосіб, наноструктур, потужністю, термоелектричною, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: підкладках, ситалових, отримання, структур, напівпровідникових, спосіб, p-snte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...