Патенти з міткою «ситалових»

Номер патенту: 102175

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна, Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: значною, snte:sb, отримання, термо-е.р.с, наноструктур, p-типу, підкладках, ситалових, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: напівпровідникових, p-snte:bi, ситалових, структур, спосіб, підкладках, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Номер патенту: 93184

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: підкладках, отримання, термоелектричного, спосіб, ситалових, наноструктурованого, станум, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки SnTe випаровують при температурі Тв, осаджують пару на підкладку при температурі Тп до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що як підкладку використовують ситал, температура випарника складає Тв=(870±10) К, температура...

Номер патенту: 87031

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Горічок Ігор Володимирович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричного, ситалових, конденсату, n-рbте:ві, отримання, спосіб, підкладках

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) K, на підкладку ситалу, який відрізняється тим, що температура підкладки при осадженні становить (520±10) K.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина наноструктур...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00

Мітки: n-pbte:bi, покращеними, спосіб, властивостями, ситалових, підкладках, наноструктур, отримання, термоелектричними, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...