Патенти з міткою «р-i-n»
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод
Номер патенту: 48718
Опубліковано: 25.03.2010
Автори: Личман Кирило Олексійович, Болтовець Микола Силович, Кривуца Валентин Антонович, Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович, Суворова Лідія Михайлівна
МПК: H01L 29/86, H01L 21/02, H01L 21/04 ...
Мітки: кремнієвий, діод, р-i-n, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...