Патенти з міткою «ультрафіолетовому»

Комплекс для відеозйомки цифровим фотоапаратом в ультрафіолетовому діапазоні світла та в умовах недостатньої освітленості квзф-2

Завантаження...

Номер патенту: 63025

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Щур Богдан Володимирович, Керницький Іван Степанович, Ляшенко Олександр Володимирович, Зачек Олег Ігорович, Слижук Володимир Михайлович, Марін Олександр Костянтинович

МПК: F21L 4/00, G03B 15/00

Мітки: квзф-2, освітленості, цифровим, недостатньої, відеозйомки, комплекс, діапазоні, світла, ультрафіолетовому, фотоапаратом, умовах

Формула / Реферат:

Комплекс для відеозйомки цифровим фотоапаратом в ультрафіолетовому діапазоні світла та в умовах недостатньої освітленості, що містить фотоапарат, до якого приєднано освітлювач, який містить корпус з кронштейном для кріплення на фотоапараті, матрицю із світлодіодів з дзеркальним рефлектором, закриту розсіюючим склом, акумуляторну батарею живлення, вимикач живлення та рознімач для заряджання акумуляторної батареї, який відрізняється тим, що...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Добровольський Юрій Георгійович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06, H01L 31/0216 ...

Мітки: фотодіод, бар'єром, чутливий, діапазоні, шотткі, ультрафіолетовому, спектра

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Шабашкевич Борис Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Добровольський Юрій Георгійович, Воронкін Євген Федорович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06, H01L 31/0216 ...

Мітки: бар'єром, чутливий, фотодіод, діапазоні, спектра, ультрафіолетовому, шотткі

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...