Воронкін Євген Федорович

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Шабашкевич Борис Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євген Федорович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Рижиков Володимир Діомидович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/0216, H01L 31/0264, H01L 31/06 ...

Мітки: бар'єром, чутливий, ультрафіолетовому, діапазоні, спектра, шотткі, фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Шабашкевич Борис Григорович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Рижиков Володимир Діомидович, Добровольський Юрій Георгійович, Воронкін Євген Федорович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06, H01L 31/0216 ...

Мітки: бар'єром, діапазоні, фотодіод, шотткі, ультрафіолетовому, чутливий, спектра

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі lіf та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 79947

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Кольнер Володимир Борисович, Рижиков Володимир Діомидович, Черніков Вячеслав Васильович, Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євген Володимирович, Воронкін Євген Федорович, Малко Юрій Борисович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: G01T 1/20, C04B 35/553, G01V 5/00 ...

Мітки: основі, детектор, керамічний, матеріал, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі LiF, який відрізняється тим, що, він додатково містить силікати рідкісноземельних елементів та/або тикор при співвідношенні основи до інших компонентів  10:(1-4), при цьому частинки силікатів рідкісноземельних елементів та/або тикору розміром 0,1-0,3 мм рівномірно розподілені в дисперсному середовищі частинок LiF того ж розміру.2. Детектор нейтронного випромінювання, який містить елементи...

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 862

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович

МПК: C30B 35/00

Мітки: синтезу, матеріалів, кристалізації, установка, очищення

Формула / Реферат:

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів, яка містить основу зі стійкою, вузол кріплення контейнера, який з'єднаний зі стійкою та складається   з передньої та задньої підпор, що з'єднані напрямними, контейнер, закріплений між підпорами з можливістю обер­тання у вертикальній площині, власна вісь обертання якого спрямована уздовж напрямних, та який з'єднаний з електрорушієм обертання навколо згаданої осі і огорнутий...