H01L 31/0216 — покриття
Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра
Номер патенту: 48467
Опубліковано: 25.03.2010
Автори: Воронкін Євген Федорович, Шабашкевич Борис Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Добровольський Юрій Георгійович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Галкін Сергій Миколайович
МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264, H01L 31/0216 ...
Мітки: чутливий, фотодіод, ультрафіолетовому, спектра, бар'єром, шотткі, діапазоні
Формула / Реферат:
Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...
Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра
Номер патенту: 42429
Опубліковано: 10.07.2009
Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Воронкін Євген Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Шабашкевич Борис Григорович, Добровольський Юрій Георгійович
МПК: H01L 31/06, H01L 31/0216, H01L 31/0264 ...
Мітки: діапазоні, бар'єром, спектра, ультрафіолетовому, чутливий, шотткі, фотодіод
Формула / Реферат:
Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...