Патенти з міткою «ниткоподібних»

Номер патенту: 47239

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Середа Олександр Дмитрович, Шапіро Михайло Віталійович, Стеганцов Ігор Вікторович

МПК: A21C 11/00

Мітки: виробництва, макаронів, ниткоподібних, матрицю, коротких, вставка, суцільних

Формула / Реферат:

 Вставка в матрицю для виробництва суцільних коротких та ниткоподібних макаронів, що включає корпус, фторопластову прокладку і захисний диск, яка відрізняється тим, що захисний диск і фторопластова прокладка виконані з не менш ніж двома ступенями, яким відповідають посадкові місця у фторопластовій прокладці і корпусі, а також з напівнаскрізними отворами на вході і виході, що забезпечують коефіцієнт живого перерізу вставки k = S1/S2 = 1,2 -...

Номер патенту: 3531

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Матвієнко Сергій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Лях Наталія Степанівна, Островський Ігор Петрович

МПК: G01N 25/00

Мітки: визначення, кристалів, спосіб, коефіцієнта, ниткоподібних, термо-е.р.с

Формула / Реферат:

Спосіб визначення коефіцієнта термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів, що включає виготовлення чотирьох точкових контактів до ниткоподібного кристала, створення градієнта температури між двома контактами пропусканням стабілізованого струму розігріву, вимірювання термо-е.р.с., визначення температури гарячого і холодного кінців ниткоподібного кристала та визначення коефіцієнта термо-е.р.с. як відношення термо-е.р.с. до градієнта температури, який...

Номер патенту: 40269

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Буджак Ярослав Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01N 25/18

Мітки: термоелектричних, ниткоподібних, кристалів, спосіб, визначення, параметрів

Формула / Реферат:

 Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів, що включає створення точкових контактів до ниткоподібного кристала, пропускання стабілізованого струму розігріву, вимірювання різниці потенціалів між контактами і визначення коефіцієнта термо-е.р.с., який відрізняється тим, що ниткоподібному кристалу надають форму хрестоподібного зростка з двох кристалів, до кінців якого і до середини зростка створюють контакти, а струм...

Номер патенту: 40268

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01R 31/00

Мітки: спосіб, провідності, типу, ниткоподібних, кристалів, напівпровідникових, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Островська Анастасія Степанівна, Байцар Роман Іванович, Красножонов Євген Павлович, Островський Петро Іванович

МПК: C30B 29/06, C30B 29/00

Мітки: спосіб, резонаторів, кристалів, ниткоподібних, вирощування, струнних, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...