Патенти з міткою «cd1-xznxte»
Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на напівізолюючих матеріалах cdte та cd1-xznxte (cd1-xmnxte)
Номер патенту: 92343
Опубліковано: 11.08.2014
Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович
МПК: C30B 11/00, C30B 11/12, C30B 11/04 ...
Мітки: випромінювання, спосіб, cd1-xznxte, детектора, виготовлення, матеріалах, cd1-xmnxte, напівізолюючих, іонізуючого
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.
Спосіб обробки поверхні кристалів cd1-xznxte
Номер патенту: 65010
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович, Сльотов Михайло Михайлович
МПК: H01L 21/477
Мітки: cd1-xznxte, спосіб, поверхні, обробки, кристалів
Формула / Реферат:
Спосіб обробки поверхні кристалів Cd1-хZnxTe з , що включає механічне та хімічне полірування напівпровідникових підкладинок, який відрізняється тим, що підкладинку додатково відпалюють на повітрі при температурі 520±50°С протягом 10±2хв.
Спосіб компенсації провідності кристалів cd1-xznxte
Номер патенту: 62650
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Демич Микола Васильович, Махній Віктор Петрович
МПК: C30B 31/00
Мітки: компенсації, спосіб, кристалів, cd1-xznxte, провідності
Формула / Реферат:
Спосіб компенсації провідності кристалів Cd1-xZnxTe з 0 £ x £ 0,1, що включає легування з парової фази, який відрізняється тим, що кристал легують оловом з парової фази при температурі 850±50 °C.