Дмитрів Анжела Миколаївна
Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і p-типу провідності
Номер патенту: 18232
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна, Дмитрів Анжела Миколаївна
МПК: C30B 11/02
Мітки: монокристалів, p-типу, меркурію, провідності, телуриду, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і р-типу, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, при цьому одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі представляє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, який відрізняється тим, що одержані...
Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду p-типу провідності
Номер патенту: 18231
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Михайльонка Руслан Ярославович, Дмитрів Анжела Миколаївна, Борик Віктор Васильович
МПК: C30B 11/02
Мітки: телуриду, p-типу, спосіб, провідності, отримання, меркурію, монокристалів
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду р-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...
Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n- cdte
Номер патенту: 65338
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дмитрів Анжела Миколаївна
МПК: C30B 31/00, C30B 33/00
Мітки: хлором, монокристалів, отримання, легованих, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n-CdTe, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію PCd>6-103 Па, час відпалу становить...