Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду p-типу провідності

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, n-типу, спосіб, провідності, меркурію, монокристалів, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 61300

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович, Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, p-типу, отримання, кадмію, телуриду, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності, що включає використання як вихідних речовин чистого кадмію і чистого телуру, які синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування кадмію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у...

Номер патенту: 65336

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович, Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 31/00, C30B 33/02

Мітки: спосіб, провідності, cdte:cl, монокристалів, p-типу, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...

Номер патенту: 65337

Опубліковано: 15.03.2004

Автор: Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 33/00, C30B 31/00

Мітки: монокристалів, отримання, n-типу, спосіб, провідності, cdte:cl

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...

Номер патенту: 61299

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, отримання, монокристалів, cdte:in, p-типу, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів CdTe:In n- і р-типу провідності, що включає використання як вихідної речовини телуриду кадмію стехіометричного складу, який розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні...